[发明专利]半导体装置结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：

形成一第一鳍状结构及一第二鳍状结构延伸于一隔离结构之上；

形成一衬层于该第一鳍状结构的一侧壁表面及该第二鳍状结构的一侧壁表面之上；

形成一虚置鳍状结构于该隔离结构之上，其中该虚置鳍状结构位于该第一鳍状结构及该第二鳍状结构之间；

形成一盖层于该虚置鳍状结构之上；

形成一虚置栅极结构于该盖层、该第一鳍状结构及该第二鳍状结构之上；

形成一介电层包围该虚置栅极结构；

移除该虚置栅极结构以于该介电层中形成一沟槽；

移除该盖层的一部分以露出该虚置鳍状结构的一顶表面；

移除该沟槽之下的该衬层以形成一第一凹槽于该第一鳍状结构及该虚置鳍状结构之间，以及一第二凹槽于该第二鳍状结构及该虚置鳍状结构之间；以及

分别形成一第一栅极结构于该第一凹槽中及一第二栅极结构于该第二凹槽中，其中以该虚置鳍状结构及该盖层分隔该第一栅极结构及该第二栅极结构，其中该第一栅极结构及该第二栅极结构的顶表面高于该露出的虚置鳍状结构的一顶表面。

2.如权利要求1的半导体装置结构的形成方法，其中该衬层包括一第一衬层于该第一鳍状结构的该侧壁表面以及该第二鳍状结构的该侧壁表面之上，以及一第二衬层于该第一衬层之上，其中该第二衬层及该第一衬层以不同材料制成。

3.如权利要求1的半导体装置结构的形成方法，还包括:

移除该第一鳍状结构的部分及该第二鳍状结构的部分以分别形成第一源极/汲极凹槽及第二源极/汲极凹槽；

形成第一源极/汲极结构于该第一源极/汲极凹槽之中以及形成第二源极/汲极结构于该第二源极/汲极凹槽之中。

4.如权利要求3的半导体装置结构的形成方法，还包括：

移除该衬层的部分以形成空腔；以及

在形成该第一源极/汲极结构于第一源极/汲极凹槽之中以及形成该第二源极/汲极结构于第二源极/汲极凹槽之中之前形成内部间隔物层于空腔之中，该内部间隔物层直接接触该第一鳍状结构及该盖层。

5.如权利要求4的半导体装置结构的形成方法，还包括：

形成栅极间隔物层于该虚置栅极结构的侧壁表面之上，其中该内部间隔物层位于该栅极间隔物层的正下方。

6.如权利要求1的半导体装置结构的形成方法，其中该第一鳍状结构包括相互堆叠的第一半导体层及第二半导体层，其中该第一半导体层及该第二半导体层以不同的材料制成。

7.如权利要求6的半导体装置结构的形成方法，还包括：

移除该沟槽之下的该衬层时，移除该第一半导体层。

8.如权利要求1的半导体装置结构的形成方法，其中该隔离结构具有第一宽度，该虚置鳍状结构具有第二宽度，且该第二宽度小于该第一宽度。

9.如权利要求1的半导体装置结构的形成方法，其中该虚置鳍状结构具有一凹陷部分的一U型结构，且一介电层形成于该虚置鳍状结构的该凹陷部分之中。