[发明专利]包括平行结构的半导体存储器件

说明书

一种半导体存储器件包括：基板；在基板上方的第一字线，第一字线在第一方向上延伸；在基板上方的第一位线，第一位线在第二方向上延伸；第一存储单元，连接到第一字线和第一位线；第一导电材料，连接到第一字线并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从第一字线延伸；第二导电材料，连接到第一位线并且在第一位线上方，第二导电材料在第一方向上延伸；以及第三导电材料，连接到第二导电材料并且在第三方向上从第二导电材料延伸。

技术领域

这里描述的发明构思的实施方式总体上涉及半导体电路，更具体地，涉及具有减小的尺寸的半导体存储器件，该半导体存储器件具有平行放置的行解码器块和页缓冲器块以及平行放置的位线和字线。

背景技术

半导体存储器件可以在诸如计算机、智能电话和/或智能手表的各种电子设备中用作主存储器或辅助存储器。半导体存储器件包括易失性存储器件，诸如动态随机存取存储器(DRAM)和/或静态随机存取存储器(SRAM)。半导体存储器件可以包括非易失性存储器件，诸如闪存、相变存储器、铁电存储器、磁存储器和/或电阻存储器。

半导体存储器件可以通过使用诸如晶片的基板来制造，例如，生产。可以用一个晶片同时制造多个半导体存储器件。用一个晶片制造的半导体存储器件的数量对制造半导体存储器件的成本有影响。通过减小半导体存储器件的尺寸因而增加用一个晶片制造的半导体存储器件的数量，可以降低制造半导体存储器件的成本。

半导体存储器件可以包括存储单元阵列和外围块。存储单元阵列可以包括配置为存储数据的多个存储单元。外围块可以被配置为访问存储单元阵列的多个存储单元。尝试将半导体存储器件的存储单元阵列和外围块堆叠例如垂直堆叠的结构，以减小半导体存储器件的尺寸。然而，至今尚未提出伴随着高产量和低制造成本的堆叠结构的半导体存储器件。

发明内容

发明构思的示例实施方式提供了具有降低的制造成本、提高的设计灵活性和/或提高的可靠性的半导体存储器件。

根据一些示例实施方式，一种半导体存储器件包括：基板；在基板上方的第一字线，第一字线在第一方向上延伸；在基板上方的第一位线，第一位线在第二方向上延伸；第一存储单元，连接到第一字线和第一位线；第一导电材料，连接到第一字线并且在第三方向上从第一字线延伸，第三方向垂直于第一方向和第二方向；第二导电材料，连接到第一位线并且在第一位线上方，第二导电材料在第一方向上延伸；以及第三导电材料，连接到第二导电材料并且在第三方向上从第二导电材料延伸。

根据一些示例实施方式，一种半导体存储器件包括：基板，具有由第一方向和第二方向限定的上表面；第一行解码器结构，在基板的上表面的第一区域上在第二方向上延伸；第一页缓冲器结构，在基板的上表面的第一区域上在第二方向上延伸；在第一行解码器结构上方的第一导电材料，第一导电材料连接到第一行解码器结构并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上延伸；以及在第一页缓冲器结构上方的第二导电材料，第二导电材料连接到第一页缓冲器结构并且沿第三方向延伸。

根据一些示例实施方式，一种半导体存储器件包括：第一基板，具有平行于第一方向和交叉第一方向的第二方向的上表面；第二基板，具有平行于第一方向和第二方向的上表面，第二基板的上表面面对第一基板的上表面；存储单元，在第一基板的上表面上方，存储单元连接到沿第一方向延伸的字线并连接到沿第二方向延伸的位线；第一导电材料，连接到字线并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从字线延伸；第二导电材料，连接到位线并且在第一方向上在位线上方延伸；第三导电材料，连接到第二导电材料并且在第三方向上从第二导电材料延伸；行解码器结构，在第二基板的上表面上延伸，行解码器结构在第二方向上延伸；页缓冲器结构，在第二基板的上表面上，页缓冲器结构在第二方向上延伸；第四导电材料，连接到行解码器结构并且在行解码器结构上方、在背离第三方向的方向上延伸、并连接到第一导电材料；以及第五导电材料，在页缓冲器结构上方连接到页缓冲器结构、在背离第三方向的方向上延伸、并连接到第三导电材料。

附图说明