[发明专利]一种Z型异质结光催化剂及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202010073504.1 申请日: 2020-01-22
公开(公告)号: CN111185199A 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 张志明;刘蒙;姚爽;郭颂;鲁统部 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: B01J27/043 分类号: B01J27/043;B01J35/02;B01J37/00;B01J37/20;C07C45/29;C07C47/54;C01B3/04
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 许飞
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 型异质结 光催化剂 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

发明提供一种Z型异质结光催化剂及其制备方法,将Cd2+、Co2+和有机配体混合后,进行水热反应,得到Cd/Co‑MOF;然后使Cd/Co‑MOF与硫化剂混合,进行硫化反应后得到Z型异质结光催化剂。本发明制备的Z型异质结光催化剂可用于在纯水体系中,同时催化产氢与苯甲醛的,其在6h内光催化析氢产率可达61924μmol·g‑1,苯甲醛选择性为99.9%,且在20h内苯甲醇选择性可达72%,该过程利用苯甲醇代替牺牲剂制备高附加值化学品,从而有效降低成本,有较好的应用前景。

技术领域

本发明属于光催化技术领域,尤其涉及一种Z型异质结光催化剂及其制备方法和应用。

背景技术

H2作为一种可持续的清洁能源载体,在解决能源和环境危机等问题方面具有较大的潜力而备受关注。在过去的几十年中,利用半导体光催化分解水产生H2被认为是将太阳能转化为化学能的理想方法。在光照下,半导体可以产生等量的光生电子和空穴,其中光生电子能够驱动质子还原成H2。然而,光生空穴通常会与光生电子复合,引起光催化剂的光腐蚀,从而降低H2的释放速率。为了实现高效的H2产生,常常需要加入牺牲剂来消耗光生空穴,这不仅造成光能不能充分利用与资源浪费,而且所产生H2的价值通常远远低于牺牲剂的价值。若能在光催化过程中形成高附加值的工业化学品,代替牺牲剂来促进H2的产生,将有望解决该问题。

受自然光合作用的启发,科学家们基于两种半导体组合后具有良好匹配的能带结构的特点,设计了多种全固态人工Z型异质结光催化体系。Z型异质结具有特殊的电子传递路径,在光照下不仅能够产生具有足够能级的光生电子和空穴,而且具有更宽的光吸收范围,并提高电荷载流子的空间分离能力。

MOFs是一种由有机配体和金属节点组成的材料,可用于均匀分散混金属中心,形成多金属固溶体。在分散金属中心过程中,可形成小尺寸异质结;同时多金属固溶体内原位形成的纳米颗粒之间紧密连接,也可形成异质结。通过调节固溶体中掺杂金属的浓度,可以精细地调节异质结构的化学组成和带隙,因此可以进一步优化光吸收能力和氧化还原活性。目前已有MOFs用于构筑异质结的研究报道,但现有MOFs基异质结的光氧化能力低,在光催化析出H2过程中仍需要大量牺牲剂来消耗光生空穴。

发明内容

本发明的目的在于解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种Z型异质结光催化剂及其制备方法,该Z型异质结能够在无需电子牺牲剂的情况下将水光催化分解成H2,同时生成高附加值化学品。

本发明的Z型异质结光催化剂由包括如下步骤的制备方法得到:

(1)将Cd2+、Co2+和有机配体混合后,进行水热反应,得到Cd/Co-MOF;

(2)使Cd/Co-MOF与硫化剂混合,进行硫化反应后得到Z型异质结光催化剂。

进一步,所述水热反应温度为120~140℃,优选130℃。

进一步,所述有机配体选自5-(5-羧基-3-吡啶基)-1,3-苯二甲酸。

进一步,所述Cd2+、Co2+和有机配体的摩尔比为2:4:(1~2),优选2:4:1,经过实验发现,只有在2:4:1比例下或接近2:4:1比例下才能够形成MOF,否则将无法形成产物。

进一步,所述硫化剂选自硫代乙酰胺、硫脲中的任意一种。

进一步,所述硫化反应温度为160~180℃,优选160℃。

进一步,所述Cd/Co-MOF与硫化剂的质量比为1:(20~30),优选1:22。

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