[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

本发明提供了一种存储器及其形成方法。通过使多个节点接触部中位于边缘位置的第一接触部具有绝缘接触柱，从而使第一接触部和对应的有源区(即，位于边缘位置的有源区)之间为电性绝缘，进而使得所形成的位于边缘位置的存储单元构成非功能性存储单元。如此，即避免了边缘位置的非功能性存储单元由于其性能异常而对存储器的器件性能造成不利影响。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory， DRAM)，其通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。以及，所述存储器还具有多条位线，每一位线分别与相应的存储单元电性连接，并且所述存储器还包括存储电容器，所述存储电容器用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储单元可通过一节点接触部电性连接所述存储电容器，从而实现各个存储单元的存储功能。

目前，基于现有的半导体制备工艺，在制备存储单元阵列时位于边缘位置的存储单元容易有性能不足的问题，从而使得整个存储器的器件性能容易受到影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器，以解决现有的存储器其边缘位置的存储器容易出现性能不足，从而影响存储器性能的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种存储器，包括：

衬底，所述衬底上定义有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外侧，以及所述衬底的所述记忆体区中形成有多个有源区；

位线组，形成在所述衬底的所述记忆体区中，所述位线组包括多条沿着预定方向延伸的位线，所述位线与所述多个有源区中对应的有源区相交，以及所述位线组中排布在边缘位置的位线构成第一位线，所述位线组中位于所述第一位线远离周边区一侧的位线构成第二位线；以及，

多个节点接触部，所述多个节点接触部中的每一节点接触部至少部分位于所述位线的一侧并形成在对应的有源区上，以及所述多个节点接触部中排布在边缘位置的节点接触部构成第一接触部，所述多个节点接触部中位于所述第一接触部远离周边区一侧的节点接触部构成第二接触部；其中，所述第一接触部包括绝缘接触柱，所述绝缘接触柱形成在所述衬底上并和相接触的有源区电性绝缘，所述第二接触部包括导电接触层，所述导电接触层形成在所述衬底上并和相接触的有源区电性连接。

可选的，所述存储器还包括隔离层，所述隔离层覆盖所述位线的顶表面，以及所述隔离层中覆盖在所述第一位线上的部分构成第一隔离部；以及，所述第一接触部的所述绝缘接触柱位于所述第一位线的一侧，并且所述第一接触部还包括第一电性传导层，所述第一电性传导层覆盖所述绝缘接触柱的顶表面并横向延伸至所述第一隔离部上，以使所述第一接触部的最大宽度尺寸大于所述第二接触部的最大宽度尺寸。

可选的，所述第一接触部的所述绝缘接触柱位于所述第一位线靠近所述第二位线的一侧，以使所述绝缘接触柱位于所述第一位线和紧邻的第二位线之间，并且所述第一接触部的所述第一电性传导层还往远离所述第二位线的方向延伸至所述第一隔离部上。

可选的，所述第二接触部的所述导电接触层的顶表面低于所述位线的顶表面；以及，所述第二接触部还包括第二电性传导层，所述第二电性传导层形成在所述导电接触层上，并沿着高度方向向上延伸，以使所述第二电性传导层的顶表面和所述第一电性传导层的顶表面齐平。

可选的，所述第一接触部的最大宽度尺寸大于所述第二接触部的最大宽度尺寸的1倍，并且小于等于所述第二接触部的最大宽度尺寸的2倍。

可选的，所述隔离层中覆盖在所述第二位线上的部分构成第二隔离部，并且所述第二接触部的顶表面高出于所述第二隔离部的顶表面；以及，所述存储器还包括间隔绝缘层，所述间隔绝缘层形成在所述隔离层上，其中所述间隔绝缘层中形成在第一隔离部上的部分构成间隔侧墙，所述间隔绝缘层中形成在第二隔离部上的部分构成间隔填充部，所述间隔填充部形成在相邻的节点接触部之间。