[发明专利]光耦电流传输比补偿有效
申请号: | 202010072245.0 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN112019054B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 李韬;孔鹏举;尹株永;踪晴晴 | 申请(专利权)人: | 戴洛格半导体公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 北京世峰知识产权代理有限公司 11713 | 代理人: | 卓霖;许向彤 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 传输 补偿 | ||
1.一种用于具有初级侧和次级侧的隔离式开关功率转换器的光耦电流传输比(CTR)补偿电路,包括:
加法器,所述加法器被配置为将用于所述隔离式开关功率转换器的数字控制信号与偏置相加,以形成偏置数字控制信号;
数模转换器(DAC),所述数模转换器被配置为将所述偏置数字控制信号转换为偏置控制信号电压;以及
电流传输比补偿电路,所述电流传输比补偿电路包括具有可变电阻的可变电阻器,所述电流传输比补偿电路被配置为响应于所述偏置数字控制信号来改变所述可变电阻,其中,所述电流传输比补偿电路还被配置为使用所述可变电阻器将所述偏置控制信号电压转换为光耦中的光耦二极管的二极管电流。
2.根据权利要求1所述的光耦电流传输比补偿电路,其中,所述隔离式开关功率转换器是反激式转换器。
3.根据权利要求2所述的光耦电流传输比补偿电路,其中,所述反激式转换器还包括初级侧控制器,所述初级侧控制器被配置为响应于来自所述光耦的集电极电流来控制功率开关晶体管的循环。
4.根据权利要求1所述的光耦电流传输比补偿电路,还包括:
场效应晶体管,所述场效应晶体管具有通过所述可变电阻器耦合到接地的第一端子和耦合到所述光耦二极管的第二端子;以及
差分放大器,所述差分放大器具有连接到场效应晶体管的源极的反相输入并且具有连接到场效应晶体管的栅极的输出;
其中,数模转换器的输出连接到所述差分放大器的非反相输入。
5.根据权利要求4所述的光耦电流传输比补偿电路,其中,所述场效应晶体管是NMOS晶体管。
6.根据权利要求4所述的光耦电流传输比补偿电路,还包括:
滤波器,所述滤波器被配置为形成所述数字偏置控制信号的时间平均形式;以及
补偿逻辑电路,所述补偿逻辑电路被配置为响应于所述数字偏置控制信号的时间平均形式大于高阈值而增加所述可变电阻,其中,所述补偿逻辑电路还被配置为响应于所述数字偏置控制信号的时间平均形式小于低阈值而减小所述可变电阻,并且其中,所述高阈值大于所述低阈值。
7.根据权利要求6所述的光耦电流传输比补偿电路,其中,所述可变电阻器是两个可变电阻器的乘方。
8.根据权利要求1所述的光耦电流传输比补偿电路,还包括:
感测和补偿电路,所述感测和补偿电路被配置为响应于输出电压与所述输出电压的期望值之间的差而生成所述数字控制信号。
9.根据权利要求6所述的光耦电流传输比补偿电路,其中,所述补偿逻辑电路还被配置为响应于温度测量结果而将所述隔离式开关功率转换器启动时的可变电阻设置为默认值。
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