[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上定义有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外侧；

多条隔离柱，形成在所述衬底上并至少位于所述记忆体区中，以用于界定出多个节点接触窗在所述衬底的所述记忆体区中，以及所述多个节点接触窗在预定方向上对齐排布呈多排；以及，

多个节点接触部，所述节点接触部填充所述节点接触窗并呈多排排布，并且每一排填充在最边缘且紧邻的两个节点接触窗中的两个节点接触部相互连接，其中相互连接的两个节点接触部构成组合接触部，以及位于所述组合接触部远离周边区一侧的节点接触部构成独立接触部，并且每一所述独立接触部填充一个节点接触窗。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，相邻的所述节点接触部之间间隔有所述隔离柱；

其中，所述组合接触部中的两个节点接触部之间间隔的隔离柱构成第一隔离柱，以及所述组合接触部中的两个节点接触部覆盖所述第一隔离柱，并在所述第一隔离柱的顶表面上相互连接。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，相邻的所述独立接触部之间间隔的隔离柱构成第二隔离柱，并且所述第二隔离柱的顶表面低于所述独立接触部的顶表面；

以及，所述存储器还包括第一遮蔽层，所述第一遮蔽层至少填充在相邻的所述独立接触部之间并位于所述第二隔离柱上。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述组合接触部中的两个节点接触部之间间隔的隔离柱构成第一隔离柱，所述第一隔离柱的顶表面高于所述第二隔离柱的顶表面。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述隔离柱还形成在所述周边区中并构成第三隔离柱，以及相邻的所述第三隔离柱之间间隔有绝缘填充柱。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：

电性传导层，至少形成在部分所述第三隔离柱上，其中被所述电性传导层覆盖的部分第三隔离柱的顶表面高出于未被所述电性传导层覆盖的另一部分第三隔离柱的顶表面。

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述电性传导层和所述组合接触部间隔设置，以及位于所述电性传导层和所述组合接触部之间的第三隔离柱和绝缘填充柱的顶表面相对于所述节点接触部的顶表面更为下沉，以界定出凹槽在所述电性传导层和所述组合接触部之间。

8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括第二遮蔽层，所述第二遮蔽层至少填充在所述电性传导层和所述组合接触部之间的所述凹槽中。

9.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括多个隔离侧墙，所述凹槽的侧壁上形成有所述隔离侧墙；

其中，所述凹槽的底壁上还形成有绝缘膜层，所述绝缘膜层覆盖所述凹槽中的第三隔离柱的顶表面和绝缘填充柱的顶表面，并连接所述隔离侧墙的底部。

10.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括多个隔离侧墙，所述凹槽的侧壁上形成有所述隔离侧墙，并且所述隔离侧墙的底部部分覆盖所述第三隔离柱；

其中，在所述凹槽中，被所述隔离侧墙覆盖的第三隔离柱的顶表面高出于未被所述隔离侧墙覆盖的第三隔离柱的顶表面。