[发明专利]一种基于双脊形波导的磁阻芯片标定测试系统及方法

权利要求书

1.一种基于双脊形波导的磁阻芯片标定测试系统，其特征在于：包括磁阻芯片场强检测系统、强电磁辐射产生装置，所述磁阻芯片场强检测系统包括磁阻探头检测模块(1)、电源模块(2)、示波器(3)，所述强电磁辐射产生装置包括射频信号源(4)、波同转换器(5)、双脊形波导(6)，所述双脊形波导(6)的两端分别连接有波同转换器(5)，所述磁阻探头检测模块(1)设置在双脊形波导(6)的内部，所述射频信号源(4)通过波同转换器(5)与双脊形波导(6)连接，所述磁阻探头检测模块(1)通过导线分别与电源模块(2)、示波器(3)连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于双脊形波导的磁阻芯片标定测试系统，其特征在于：所述波同转换器(5)包括转换器上脊(51)、转换器下脊(52)，所述双脊形波导(6)包括波导上脊(61)、波导下脊(62)，所述转换器上脊(51)、转换器下脊(52)分别与波导上脊(61)、波导下脊(62)固定连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于双脊形波导的磁阻芯片标定测试系统，其特征在于：所述转换器下脊(52)为台阶状。

4.根据权利要求1所述的一种基于双脊形波导的磁阻芯片标定测试系统，其特征在于：所述磁阻探头检测模块(1)设置在波导上脊(61)和波导下脊(62)之间，所述磁阻探头检测模块(1)包括固定装置(11)、隧道磁阻探头(12)，所述隧道磁阻探头(12)通过固定装置(11)固定在波导上脊(61)和波导下脊(62)之间的几何中心处，所述隧道磁阻探头(12)通过电磁屏蔽线与示波器(3)连接，所述电磁屏蔽线的外部包裹有金属网状编织层。

5.根据权利要求4所述的一种基于双脊形波导的磁阻芯片标定测试系统，其特征在于：所述固定装置(11)采用低密度聚乙烯脂，所述低密度聚乙烯脂填充在波导上脊(61)、波导下脊(62)之间。

6.根据权利要求1所述的一种基于双脊形波导的磁阻芯片标定测试系统，其特征在于：所述波同转换器(5)上设置有插针固定孔(53)，所述射频信号源(4)通过插针固定孔(53)与波同转换器(5)固定连接。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种基于双脊形波导的磁阻芯片标定测试系统的测试方法，其特征在于：包括下列步骤：

S1、连接测试设备，将隧道磁阻芯片固定于双脊形波导中轴线上，调节射频信号源参数，双脊形波导内部产生均匀恒定电磁场；

S2、使用双脊形波导辐射测试所需要的强电场环境，通过建模仿真及理论计算可以得知场强的大小，通过调节射频信号源的输出信号的幅值与频率范围，控制双脊形波导内部的电场的辐射场强值与辐射频率的大小；

S3、射频信号源频率由10KHz开始，信号幅值从0dBm开始进行调节，逐渐加大直至隧道磁阻探头的输出不再线性变化；

S4、在测试频率范围内扫描，保持电场达到极限值要求，通过示波器进行记录隧道磁阻探头输出的电压值；采用线性扫描方式时，在每一频率上至少驻留5s以保证隧道磁阻探头的工作稳定；

S5、若隧道磁阻探头的输出开始衰减，保持频率不变降低辐射信号幅值继续测试并记录输出记录，直到覆盖所有磁阻探头工作的频率范围以及场强范围；

S6、终得出隧道磁阻探头的输出与电磁辐射环境辐射强度与辐射频率的关系。