[发明专利]一种制备高纯石墨烯薄膜的方法及电极和电容器在审
| 申请号： | 202010071002.5 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111261418A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 卜永锋;梁红玉;刘海涛;师仁兴;连加彪;付永忠;沈湘黔;李华明 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/36;H01G11/86 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高纯 石墨 薄膜 方法 电极 电容器 | ||
1.一种制备高纯石墨烯薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
GO水溶液制备：将石墨、NaNO3和H2SO4在冰浴中混合并搅拌均匀，再将KMnO4缓慢加入，形成混合溶液A，将混合溶液A在一定温度下搅拌若干小时后，加水升温，再加入水和H2O2溶液得到混合溶液B，将混合溶液B过滤，将过滤物用温水洗涤，再搅拌，得到GO水溶液；
硅片清洗：将硅片清洗干净；
薄膜沉积：将两片硅片平行放置在GO水溶液中，两片硅片分别作为工作电极和对电极，将工作电极与直流电源的正极连接，将对电极与直流电源的负极连接，对工作电极和对电极进行通电，在硅片表面沉积氧化石墨烯薄膜；
退火处理：沉积的氧化石墨烯薄膜在高温下进行退火处理，得到石墨烯薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备高纯石墨烯的方法，其特征在于，所述石墨、NaNO3、H2SO4和KMnO4的质量比为1:1:92:7。
3.根据权利要求1所述的制备高纯石墨烯的方法，其特征在于，所述混合溶液A在0-40℃下搅拌1-4h。
4.根据权利要求1所述的制备高纯石墨烯的方法，其特征在于，所述混合溶液A在搅拌之后加水先升温至95℃,并在90℃以上保持10-20分钟。
5.根据权利要求1所述的制备高纯石墨烯的方法，其特征在于，所述硅片是晶向为〈100〉、电阻率为0.001-1.5Ω·m的N型抛光单晶硅片。
6.根据权利要求1所述的制备高纯石墨烯的方法，其特征在于，所述GO水溶液的浓度为0.1-10mg/mL。
7.根据权利要求1所述的制备高纯石墨烯的方法，其特征在于，所述直流电源的正极和负极之间的电压为10-30V。
8.根据权利要求1所述的制备高纯石墨烯的方法，其特征在于，所述氧化石墨烯薄膜沉积的时间为10-120min。
9.一种电极，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述制备高纯石墨烯的方法制备的石墨烯薄膜。
10.一种电容器，其特征在于，包括权利要求9所述的电极。
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