[发明专利]阵列基板及其制备方法和触控显示面板有效
申请号: | 202010070583.0 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN111290658B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 王超;朱宁;高玉杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;武汉京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 武娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,应用于ADS型液晶显示面板,所述阵列基板,包括:公共电极与触控线,所述公共电极包括阵列排布的电极块,同一触控单元包括至少一个电极块,同一所述触控单元内的电极块电连接,不同的所述触控单元之间相互绝缘,所述触控单元与所述触控线一一对应地连接,所述触控单元与所述触控线通过直接搭接方式连接;
所述阵列基板,还包括:衬底基板、薄膜晶体管、钝化保护层、像素电极、绝缘保护层与数据线;
所述薄膜晶体管位于所述衬底基板上;所述钝化保护层位于所述薄膜晶体管上;所述像素电极位于所述钝化保护层上;所述绝缘保护层位于所述像素电极上;所述公共电极位于所述绝缘保护层上;
所述薄膜晶体管包括:栅极、栅极绝缘层、有源层、源极与漏极;所述栅极位于所述衬底基板上;所述栅极绝缘层位于所述栅极上;所述有源层位于所述栅极绝缘层上;源极与漏极位于所述有源层上;
所述数据线位于所述有源层上,与所述源极、所述漏极同层;同一条所述数据线两侧分别设置一条所述触控线,且所述触控线不透明;同一所述电极块两侧分别设置一条所述触控线。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括触控显示芯片;所述触控单元经所述触控线连接至所述触控显示芯片。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述触控显示芯片被配置为在显示时段内通过所述触控线给所述公共电极提供公共电压,在触控检测时段内通过所述触控线给所述触控单元提供触控电压,并检测所述触控单元的电容变化以检测触摸位置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述电极块包括并列排列的狭缝,所述狭缝的延伸方向平行于所述数据线的延伸方向。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括连接线;所述连接线位于所述衬底基板上,且与所述栅极同层;
同一所述触控单元内的相邻的两个电极块分别通过一个过孔连接至同一条所述连接线;所述过孔贯穿所述绝缘保护层、所述钝化保护层与所述栅极绝缘层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘保护层的厚度为0.8~2.5微米。
7.一种触控显示面板,其特征在于,包括权利要求1~6任一项所述的阵列基板、对置基板和液晶层,所述液晶层位于所述阵列基板和所述对置基板之间。
8.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,用于制备权利要求1~6任一项所述的阵列基板,所述方法包括:
形成第一透明导线层、金属层与第一光刻胶层,其中,所述金属层位于所述第一透明导线层上,所述第一光刻胶层位于所述金属层上;
将第一半色调掩膜版放置在所述第一光刻胶层上,所述第一半色调掩膜版包括遮光部、透光部与部分透光部,所述部分透光部的透光率大于0,且小于所述透光部的透光率;
对所述第一光刻胶层进行曝光与显影,得到第二光刻胶层,所述第二光刻胶层包括镂空部、第一阻挡部与第二阻挡部,所述第一阻挡部的厚度大于所述第二阻挡部的厚度;
对位于所述镂空部下的所述金属层进行刻蚀,暴露所述镂空部下的所述第一透明导线层;
对所述镂空部下的所述第一透明导线层进行刻蚀,得到阵列排布的所述电极块;
对所述第一阻挡部与所述第二阻挡部进行灰化,去除所述第二阻挡部,其中,所述第一阻挡部灰化后得到第三阻挡部,所述第三阻挡部的厚度小于所述第一阻挡部;
对未被所述第三阻挡部覆盖的所述金属层进行刻蚀,并去除所述第三阻挡部,得到所述触控线。
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