[发明专利]光学双极移相器在审
申请号: | 202010069700.1 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN111458907A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | J·N·卡斯佩斯;M·阿舒尔 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | G02F1/025 | 分类号: | G02F1/025;G02F1/015 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 极移 | ||
1.一种光学移相器(1),所述光学移相器包括
光波导(3),所述光波导在衬底中实现,所述光波导在所述衬底内具有光传导面,其特征在于,
所述光传导面包括第一掺杂的至少一个第一区域(5)和分别第二掺杂的至少两个第二区域(6),所述第二掺杂与所述第一掺杂不同,其中,所述第一区域(5)布置在两个所述第二区域(6)之间。
2.根据权利要求1所述的光学移相器(1),其中,所述三个区域(5,6)沿着垂直于辐射传播方向(SAR)的方向彼此交替地布置。
3.根据权利要求2所述的光学移相器(1),其中,所述三个区域(5,6)分别至少部分地在所述光传导面内沿着所述辐射传播方向(SAR)延伸。
4.根据以上权利要求中任一项所述的光学移相器(1),其中,所述第一区域(5)与所述第二区域(6)中的至少一个沿着垂直于所述辐射传播方向(SAR)的方向重叠,和/或,其中,所述第一区域(5)沿着与所述辐射传播方向(SAR)垂直的方向邻接所述第二区域(6)中的至少一个。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的光学移相器(1),其中,在所述第一区域(5)和所述第二区域(6)中的至少一个之间布置有至少一个具有本征电荷载体密度的区域(7)。
6.根据权利要求5所述的光学移相器(1),其中,所述具有本征电荷载体密度的区域(7)沿着平行于所述辐射传播方向(SAR)延伸的方向连续地沿着所述第一区域(5)和所述第二区域(6)中的至少一个延伸。
7.根据权利要求5所述的光学移相器(1),其中,多个具有本征电荷载体密度的区域(7)沿着平行于所述辐射传播方向(SAR)延伸的方向彼此间隔开地沿着所述第一区域(5)和所述第二区域(6)中的至少一个延伸。
8.根据以上权利要求中任一项所述的光学移相器(1),其中,所述光学移相器还包括能够施加电压的至少两个电连接端(8),所述至少两个电连接端分别与所述三个区域(5,6)中的至少一个导电地连接。
9.根据权利要求8所述的光学移相器(1),所述光学移相器还包括掺杂的光学交叉元件(9),所述第一区域(5)通过所述掺杂的光学交叉元件连接到所述电连接端(8)中的一个。
10.根据以上权利要求中任一项所述的光学移相器(1),其中,所述三个区域(5,6)中的至少一个沿着平行于所述辐射传播方向(SAR)延伸的方向具有蜿蜒状的走向。
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