[发明专利]石墨烯玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯玻璃的制备方法，其特征在于，包括：

提供一玻璃；

于所述玻璃表面进行物理气相沉积形成钛中间层，所述钛中间层的厚度为10nm~20nm，所述钛中间层远离所述玻璃的表面具有二氧化钛层；及

于所述钛中间层表面进行化学气相沉积生长石墨烯，所述石墨烯的生长温度为600℃~700℃，得所述石墨烯玻璃；

所述石墨烯生长前，还包括对所述形成钛中间层后的玻璃进行退火处理，所述退火处理包括第一退火处理和第二退火处理，所述第一退火处理的温度为300℃~350℃，时间为1.5h~2.5h；所述第二退火处理的温度为600℃~700℃，时间为0.5h~2.5h。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述物理气相沉积采用磁控溅射法和/或真空蒸发镀膜法，所述磁控溅射法选自直流磁控溅射法、高功率脉冲磁控溅射法、中频磁控溅射法、射频磁控溅射法和反应磁控溅射法中的一种或多种，所述真空蒸发镀膜法选自电子束蒸发镀膜法、多弧离子镀膜法和离子束蒸发镀膜法中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通入碳源气体和还原气体于化学气相沉积系统进行所述化学气相沉积，所述碳源选自甲烷、乙烷、乙烯和乙炔中的一种或多种，所述碳源气体的流量为3sccm~10sccm，所述还原气体的流量为5sccm~10sccm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积系统内的真空度为1Pa~10Pa。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积采用等离子体增强化学气相沉积法，所述化学气相沉积系统包括反应腔室、射频发生装置和三温区管式炉。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述射频发生装置的功率为200W~400W。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述三温区管式炉沿碳源气体通过方向依次包括第一温区、第二温区和第三温区，其中所述形成钛中间层后的玻璃置于所述第一温区和所述第二温区的交界处。

8.一种石墨烯玻璃，采用权利要求1~7中任一项所述的方法制备，包括：

玻璃；

钛中间层，位于所述玻璃表面；及

石墨烯层，共价键连接于所述钛中间层表面。