[发明专利]电磁波衰减体及电子装置有效

专利信息
申请号: 202010068778.1 申请日: 2020-01-21
公开(公告)号: CN111491500B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 喜喜津哲;黑崎义成;山田健一郎;松中繁树 申请(专利权)人: 株式会社东芝;芝浦机械电子株式会社
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;H01L23/552
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 张轶楠;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电磁波 衰减 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种电磁波衰减体,具备:

多层构件;和

磁性构件,

所述多层构件包括多个磁性层和导电性的多个非磁性层,

从所述多个磁性层中的一个磁性层向所述多个磁性层中的另一个磁性层的方向沿着第1方向,所述第1方向是从所述多层构件向所述磁性构件的方向,

所述多个非磁性层中的一个非磁性层位于所述多个磁性层中的所述一个磁性层与所述多个磁性层中的所述另一个磁性层之间,

所述磁性构件的沿着所述第1方向的厚度为所述多层构件的沿着所述第1方向的厚度的1/2以上,

所述磁性构件与所述多层构件相接。

2.根据权利要求1所述的电磁波衰减体,

所述磁性构件包括第1构件区域及第2构件区域,所述第1构件区域在所述第1方向上位于所述第2构件区域与所述多层构件之间,

所述第1构件区域包含多个第1晶粒,

所述第2构件区域包含多个第2晶粒,

所述多个第1晶粒的尺寸的平均值比所述多个第2晶粒的尺寸的平均值小。

3.根据权利要求1所述的电磁波衰减体,

所述磁性构件包括第1构件面及第2构件面,所述第1构件面在所述第1方向上位于所述第2构件面与所述多层构件之间,

所述第1构件面包含多个第1晶粒,

所述第2构件面包含多个第2晶粒,

所述多个第1晶粒的尺寸的平均值比所述多个第2晶粒的尺寸的平均值小。

4.根据权利要求1所述的电磁波衰减体,

所述多个磁性层中的所述一个磁性层包含第3晶粒,

所述第3晶粒的尺寸的平均值为40nm以下。

5.根据权利要求1所述的电磁波衰减体,

所述多个磁性层中的所述一个磁性层包括与所述多个非磁性层中的所述一个非磁性层相对向的第1磁性层面,

所述第1磁性层面包括第1顶部和第1底部,

所述第1顶部与所述第1底部之间的沿着所述第1方向的距离为10nm以上。

6.根据权利要求1所述的电磁波衰减体,

所述多个磁性层中的所述一个磁性层包括与所述多个非磁性层中的所述一个非磁性层相对向的第1磁性层面,

所述第1磁性层面包括第1顶部、第2顶部及第1底部,

与所述第1方向交叉的第2方向上的所述第1底部的位置位于所述第2方向上的所述第1顶部的位置与所述第2方向上的所述第2顶部的位置之间,

所述多个非磁性层中的所述一个非磁性层的至少一部分在所述第2方向上位于所述第1顶部与所述第2顶部之间。

7.根据权利要求1所述的电磁波衰减体,

所述多个磁性层中的所述一个磁性层的至少一部分包含选自Co、Ni及Fe中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的电磁波衰减体,

所述多个磁性层中的所述一个磁性层的所述至少一部分还包含选自Cu、Mo及Cr中的至少一种。

9.一种电子装置,具备:

权利要求1所述的电磁波衰减体;和

电子元件。

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