[发明专利]显示面板及显示装置

说明书

本发明提供了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括：基板、驱动层、MiniLED发光单元、第一封装胶以及薄膜封装层。本发明的显示面板为大尺寸的MiniLED发光，通过设置一薄膜封装层，该薄膜封装层由有机层以及无机层堆叠而成。通过薄膜封装层的隔绝水氧的能力，可以有效的弥补硅胶材料的封装胶的缺陷，提高面板的稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种大尺寸的MiniLED发光的显示面板及显示装置。

背景技术

MiniLED技术目前广泛的应用在超大尺寸(100英寸)的显示器中，所采用的主流技术是采用PCB基板作为基底的小间距LED技术。目前MiniLED显示屏的像素间间距在10mm到1mm之间。基于PCB基板的技术方案是将负责驱动的金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管和LED灯封装在一起，然后转移并固定在PCB基板上。该技术方案面临两个方面的问题：(1)MOS晶体管和LED灯封装的尺寸较大，难以实现像素间距小于0.5mm的显示屏；(2)PCB板和MOS晶体管的成本较高。

目前都在开发采用薄膜晶体管(TFT)基板驱动MiniLED的技术方案。与PCB基板和MOS管的技术方案相比，采用TFT基板能够省去MOS晶体管的器件成本。现有面板厂的TFT基板生产尺寸较大，相较于PCB基板来说，单位面积的成本也较低。由于不需要将MOS管与LED灯封装在一起，器件的尺寸也可以缩小，在实现更小的像素间距方面也有优势。因此，采用TFT基板驱动MiniLED的拼接屏技术具有更大的优点。

目前，主流的TFT技术包括氢化非晶硅TFT技术(a-Si:H TFT)、非晶氧化物(amorphous oxide)TFT技术和低温多晶体TFT技术。氢化非晶硅TFT的载流子迁移率较低，难以满足MiniLED驱动的要求。与氧化物TFT技术相比，低温多晶硅TFT技术的制作工艺复杂且世代线较低，成本较高。因此，现开发采用氧化物TFT驱动的MiniLED拼接屏是现主流。但是，氧化物材料容易吸附环境中水氧导致器件的电性发生负偏。因此，需要对MiniLED显示屏进行封装，减少环境中的水氧的影响。目前，MiniLED显示屏仅在LED灯固晶后涂布封胶，封胶的成分为硅胶。硅胶对水氧的阻隔能力较差，难以满足氧化物TFT的封装要求。

发明内容

本发明的目的在于，提出一种显示面板及显示装置，可以解决大尺寸的MiniLED发光的显示面板封装效果差的问题。

为了达到上述目的，本发明提供一种显示面板，包括：基板；驱动层，设于所述基板的一侧，所述驱动层包括多个氧化物薄膜晶体管；多个MiniLED发光单元，阵列式分布于所述驱动层远离所述基板的一侧，每个氧化物薄膜晶体管对应连接对应的MiniLED发光单元；第一封装胶，贴附于所述驱动层上且包覆所述MiniLED发光单元；薄膜封装层，设于所述第一封装胶远离所述驱动层的一侧。

进一步地，所述薄膜封装层包括至少一混合层，所述混合层包括有机层以及无机层，所述无机层设于所述有机层上。

进一步地，所述氧化物薄膜晶体管的材料为铟镓锌氧化物。

进一步地，还包括一扇出走线、以及绑定区，所述扇出走线连接至所述绑定区，所述扇出走线设于所述显示面板的侧面。

进一步地，还包括：第二封装胶，贴附于所述第一封装胶的左右两侧。

进一步地，所述第一封装胶的材料包括黑胶或UV固化胶。

进一步地，所述第二封装胶的材料包括黑胶或UV固化胶。

进一步地，所述有机层的材料为聚酰亚胺；所述无机层的材料为硅系化合物。

进一步地，所述第二封装胶贴附部分所述扇出走线。

本发明还提供一种显示装置，包前文所述的显示面板。