[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备

第1存储单元；

第2存储单元；

字线，与所述第1存储单元及所述第2存储单元连接；

第1位线，与所述第1存储单元连接；

第2位线，与所述第2存储单元连接；

第1选择晶体管，连接在所述第1存储单元与所述第1位线之间；

第2选择晶体管，连接在所述第2存储单元与所述第2位线之间；

第1选择栅极线，与所述第1选择晶体管连接；

第2选择栅极线，与所述第2选择晶体管连接；及

控制器，执行写入动作；且

所述控制器是

在所述写入动作中，执行包含编程动作的程序循环，

在所述编程动作中，在第1时刻对所述第1选择栅极线及所述第2选择栅极线施加第1电压，在所述第1时刻之后的第2时刻对所述第1选择栅极线及所述第2选择栅极线施加比所述第1电压低的第2电压，在所述第2时刻之后的第3时刻对所述字线施加比所述第2电压高的第3电压，在选择了第1存储单元的情况下，在所述第2时刻之后的第4时刻对所述第1选择栅极线施加所述第1电压与所述第2电压之间的第4电压，在选择了所述第2存储单元的情况下，在所述第4时刻对所述第2选择栅极线施加所述第4电压，在所述第3时刻之后的第5时刻，对所述字线施加比所述第3电压高的第5电压，

在选择了所述第1存储单元的所述编程动作中，所述第2时刻与所述第3时刻之间的时间为第1时间，在选择了所述第2存储单元的所述编程动作中，所述第2时刻与所述第3时刻之间的时间为与所述第1时间不同的第2时间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第3时刻与所述第4时刻为相同时刻。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第4时刻为所述第3时刻之前的时刻。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述控制器在对所述第1选择栅极线及所述第2选择栅极线施加了所述第1电压的期间，在选择了所述第1存储单元的情况下，对所述第1位线施加第6电压，且对所述第2位线施加比所述第6电压高的第7电压，在选择了所述第2存储单元的情况下，对所述第1位线施加所述第7电压，且对所述第2位线施加所述第6电压。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述控制器在对所述字线施加了所述第3电压的期间，在选择了所述第1存储单元的情况下，对所述第1位线施加第6电压，且对所述第2位线施加比所述第6电压高的第7电压，在选择了所述第2存储单元的情况下，对所述第1位线施加所述第7电压，且对所述第2位线施加所述第6电压。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述控制器在对所述字线施加了所述第5电压的期间，在选择了所述第1存储单元的情况下，对所述第1选择栅极线施加所述第4电压，在选择了所述第2存储单元的情况下，对所述第2选择栅极线施加所述第4电压。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

在选择了所述第1存储单元的所述编程动作中，当对所述第1选择栅极线施加所述第5电压时，所述第1存储单元的沟道成为浮动状态，

在选择了所述第2存储单元的所述编程动作中，当对所述第2选择栅极线施加所述第5电压时，所述第2存储单元的沟道成为浮动状态。