[发明专利]增加非易失性存储器中编程和擦除效率的电荷泵调节电路

权利要求书

1.一种电路，包括：

电荷泵电路，被配置为在第一节点处生成电荷泵输出信号，所述电荷泵电路根据至少一个电荷泵控制信号而被使能；

二极管，具有耦合到所述第一节点的第一端子和耦合到第二节点的第二端子，所述二极管向所述第二节点提供反向电流；

比较器，具有耦合到所述第二节点的第一输入和耦合到第三节点的第二输入，所述比较器被配置为引起所述至少一个电荷泵控制信号的生成；以及

电流镜，被配置为从所述第二节点汲取第一电流并且向所述第三节点施加第二电流。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述二极管的所述第一端子是阴极；其中所述二极管的所述第二端子是阳极。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一电流和第二电流具有相同的幅度。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述比较器生成振荡器控制信号；并且所述电路还包括振荡器，所述振荡器被配置为根据由所述比较器生成的所述振荡器控制信号来生成所述至少一个电荷泵控制信号。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路还包括非易失性存储器，并且其中二极管使用与所述非易失性存储器的晶体管相同的工艺而被形成。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路包括半导体衬底；还包括形成在所述半导体衬底中的非易失性存储器；并且其中所述二极管也形成在所述半导体衬底中。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述电流镜包括：

第一晶体管，具有耦合到所述第二节点的漏极、耦合到基准电压的源极，以及栅极；和

第二晶体管，具有耦合到所述第三节点的漏极、耦合到所述基准电压的源极，以及耦合到所述第一晶体管的所述栅极并且耦合到所述第二晶体管的所述漏极的栅极。

8.根据权利要求1所述的电路，还包括二极管耦合的晶体管，具有耦合到所述第一节点的漏极、提供输出信号的源极，以及耦合到所述二极管耦合的晶体管的所述漏极的栅极。

9.根据权利要求1所述的电路，其中所述至少一个电荷泵控制信号包括时钟信号和所述时钟信号的补。

10.一种电路，包括：

电荷泵电路，被配置为在第一节点处生成电荷泵输出信号，所述电荷泵电路根据至少一个电荷泵控制信号而被使能；

二极管，具有耦合到所述第一节点的第一端子和耦合到第二节点的第二端子，所述二极管向所述第二节点提供反向电流；

比较器，具有耦合到所述第二节点的第一输入和耦合到第三节点的第二输入，所述比较器被配置为引起所述至少一个电荷泵控制信号的生成；以及

第一电流源，被配置为从所述第二节点汲取第一电流；以及

第二电流源，被配置为向所述第三节点施加第二电流。

11.根据权利要求10所述的电路，其中所述二极管的所述第一端子是阴极；其中所述二极管的所述第二端子是阳极。

12.根据权利要求10所述的电路，其中所述第一电流和所述第二电流具有相同的幅度。

13.根据权利要求10所述的电路，其中所述比较器生成振荡器控制信号；并且所述电路还包括振荡器，所述振荡器被配置为根据由所述比较器生成的所述振荡器控制信号来生成所述至少一个电荷泵控制信号。

14.根据权利要求10所述的电路，其中所述电路还包括非易失性存储器；并且其中所述二极管使用与所述非易失性存储器的晶体管相同的工艺而被形成。

15.根据权利要求10所述的电路，其中所述电路包括半导体衬底；还包括形成在所述半导体衬底中的非易失性存储器；并且其中所述二极管也形成在所述半导体衬底中。