[发明专利]发光二极管阵列

权利要求书

1.一种发光二极管阵列，包括：

第一发光二极管和第二发光二极管，分别包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；

第一上电极，形成在所述第一发光二极管的第二半导体层上，且电连接到所述第一发光二极管的第一半导体层，与所述第一发光二极管的第二半导体层绝缘；以及

第二上电极，形成在所述第二发光二极管的第二半导体层上，电连接到所述第二发光二极管的第一半导体层，与所述第二发光二极管的第二半导体层绝缘，

其中，所述第一上电极具有从所述第一发光二极管侧向所述第二发光二极管侧突出的第一突出部，所述第一突出部延伸到所述第二发光二极管上部而与所述第二发光二极管的第二半导体层电连接，

所述第二上电极具有形成为收容所述第一上电极的第一突出部的槽部，

所述第二上电极在彼此相隔的至少两个接触区域与所述第二发光二极管的第一半导体层接触，

所述第一上电极的所述第一突出部向所述接触区域之间的间隙突出，

所述第二上电极在所述槽部周围具有从所述第二发光二极管向所述第一发光二极管侧突出的第二突出部，

所述第二上电极的所述第二突出部布置为相比与所述第一发光二极管相对的所述第二发光二极管的边沿更远离所述第一发光二极管。

2.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，

所述第一上电极和所述第二上电极为包括Al层的同一材料的金属层。

3.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，

所述第一上电极和所述第二上电极包括：欧姆接触层，与第一半导体层欧姆接触。

4.如权利要求3所述的发光二极管阵列，其中，

所述第一上电极和所述第二上电极还包括：反射层，位于所述欧姆接触层上。

5.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，还包括：

第一层间绝缘膜，排列在所述第一发光二极管与所述第一上电极之间和所述第二发光二极管与所述第二上电极之间，

其中，所述第一上电极和所述第二上电极通过所述第一层间绝缘膜与所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的侧面绝缘。

6.如权利要求5所述的发光二极管阵列，其中，还包括：

下电极，排列在所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的第二半导体层上，

其中，所述第一层间绝缘膜暴露所述第二发光二极管上的下电极的一部分，

所述第一上电极与通过所述第一层间绝缘膜而暴露的所述第二发光二极管上的下电极连接。

7.如权利要求6所述的发光二极管阵列，其中，

所述下电极分别包括反射层。

8.如权利要求6所述的发光二极管阵列，还包括：

第二层间绝缘膜，覆盖所述第一上电极和所述第二上电极。

9.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，还包括：

基板，布置有所述第一发光二极管和所述第二发光二极管，

其中，所述基板是为了生长所述第一半导体层、有源层以及第二半导体层的生长基板。

10.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，还包括：

第一层间绝缘膜，排列在所述第一发光二极管与所述第一上电极之间和所述第二发光二极管与所述第二上电极之间；以及

下电极，排列在所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的第二半导体层上，

其中，所述第一上电极和所述第二上电极通过所述第一层间绝缘膜与所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的侧面绝缘，

所述第一层间绝缘膜在所述第一上电极的突出部下部暴露所述第二发光二极管上的下电极。

11.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，

所述第一上电极和所述第二上电极中的至少一个相比对应的发光二极管的幅宽或宽度具有更大的幅宽或宽度。