[发明专利]一种efuse熔丝的版图结构有效
| 申请号： | 202010063863.9 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111276478B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 张黎;晏颖 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/62 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 efuse 版图 结构 | ||
1.一种efuse熔丝的版图结构，其特征在于，至少包括：
包含有熔丝本体的中间金属层；分别分布于所述中间金属层的上方和下方与所述中间金属层相邻的相邻金属层，所述相邻金属层通过位于所述相邻金属层与所述中间金属层之间的通孔与所述中间金属层上的熔丝本体连接；
分别分布于所述相邻金属层上方和下方的次相邻金属层，所述次相邻金属层上包含有焊盘；所述焊盘通过位于所述次相邻金属层与所述相邻金属层之间的通孔与该相邻金属层连接；
所述熔丝本体的形状呈条形，其在所述中间金属层平面内的长度为1.16微米；所述焊盘形状为矩形，其在所述次相邻金属层平面内的长度为0.32微米，宽度为0.15微米。
2.根据权利要求1所述的efuse熔丝的版图结构，其特征在于：所述熔丝本体的两端通过所述通孔连接于所述相邻金属层。
3.根据权利要求2所述的efuse熔丝的版图结构，其特征在于：所述熔丝本体的两端分别通过呈单排分布的多个通孔连接至所述相邻金属层。
4.根据权利要求3所述的efuse熔丝的版图结构，其特征在于：所述相邻金属层通过呈单排分布的多个通孔连接至所述次相邻金属层。
5.根据权利要求4所述的efuse熔丝的版图结构，其特征在于：连接所述熔丝本体和所述相邻金属层的所述单排通孔与连接所述相邻金属层与所述焊盘的所述呈单排分布的通孔在垂直方向上投影重叠。
6.根据权利要求5所述的efuse熔丝的版图结构，其特征在于：呈单排分布的所述通孔在各自所在的平面彼此等间隔排布。
7.根据权利要求6所述的efuse熔丝的版图结构，其特征在于：所述次相邻金属层上分别包含有1个焊盘。
8.根据权利要求7所述的efuse熔丝的版图结构，其特征在于：所述通孔的大小和形状彼此相同。
9.根据权利要求8所述的efuse熔丝的版图结构，其特征在于：所述通孔的横截面形状为矩形。
10.根据权利要求9所述的efuse熔丝的版图结构，其特征在于：所述通孔的一条边长为50nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
