[发明专利]添加LaF3 有效
| 申请号： | 202010062806.9 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111244255B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 葛振华;李淑慧;冯晶 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/14 | 分类号： | H01L35/14;H01L35/34 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 冉剑侠 |
| 地址： | 650000 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 添加 laf base sub | ||
1.添加LaF3的InGaO3(ZnO)超晶格热电材料的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1准备粉体：将In2O3、Ga2O3和ZnO作为前驱粉末，球磨6～12h，得到InGaO3(ZnO)粉体；
步骤2粉体混合：向步骤1得到的InGaO3(ZnO)粉体加入质量比为x wt％的LaF3粉末混合，LaF3为烧结助剂；
步骤3烧结：将步骤2得到的混合粉体采用放电等离子烧结工艺进行烧结，烧结的温度大于等于1100℃、小于等于1150℃，烧结时间不低于10min，烧结压力不低于30MPa，得到InGaO3(ZnO)+x wt％LaF3超晶格热电材料；其中0.5≤x≤3，该热电材料为块体陶瓷。
2.根据权利要求1所述的添加LaF3的InGaO3(ZnO)超晶格热电材料的方法，其特征在于：1≤x≤3。
3.根据权利要求2所述的添加LaF3的InGaO3(ZnO)超晶格热电材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1中In2O3、Ga2O3和ZnO粉体的纯度均大于99.99wt％。
4.根据权利要求3所述的添加LaF3的InGaO3(ZnO)超晶格热电材料的制备方法，其特征在于：所述步骤1中球磨加入液态的球磨介质，采用湿法球磨的方式进行球磨。
5.根据权利要求4所述的添加LaF3的InGaO3(ZnO)超晶格热电材料的制备方法，其特征在于：所述球磨介质为乙醇。
6.根据权利要求5所述的添加LaF3的InGaO3(ZnO)超晶格热电材料及其制备方法，其特征在于：所述步骤1采用湿法球磨后进行烘干处理，烘干的温度为70～80℃，烘干时间为10～12h。
7.根据权利要求6所述的添加LaF3的InGaO3(ZnO)超晶格热电材料的制备方法，其特征在于：所述步骤2中InGaO3(ZnO)粉体在加入LaF3粉末前采用不少于300目的筛子进行过筛处理。
8.根据权利要求7所述的添加LaF3的InGaO3(ZnO)超晶格热电材料的制备方法，其特征在于：过筛处理后InGaO3(ZnO)粉体的平均粒径为50±2μm。
9.根据权利要求8所述的添加LaF3的InGaO3(ZnO)超晶格热电材料的制备方法，其特征在于：所述步骤2中InGaO3(ZnO)粉体与LaF3粉末通过研磨的方式混合均匀。
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