[发明专利]一种高速高线性度的栅压自举开关电路有效

专利信息
申请号: 202010062295.0 申请日: 2020-01-20
公开(公告)号: CN111245413B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 唐鹤;张浩松;韦祖迎;彭析竹 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 高速 线性 开关电路
【权利要求书】:

1.一种高速高线性度的栅压自举开关电路,包括第一电容、第一NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和采样开关管,

第一PMOS管的栅极连接第五NMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极和采样开关管的栅极,其源极连接第三PMOS管的源极和第五NMOS管的栅极并连接电源电压,其漏极连接第二PMOS管的源极并通过第一电容后连接第一NMOS管的漏极、第三NMOS管的源极和第四NMOS管的源极;

第三PMOS管的栅极连接第三NMOS管的栅极和第一时钟信号,其漏极连接第三NMOS管的漏极和第二PMOS管的栅极;

第一NMOS管的栅极连接第二时钟信号,其源极接地;

所述第一时钟信号和第二时钟信号反相;

第六NMOS管的栅极连接所述第二时钟信号,其漏极连接第五NMOS管的源极,其源极接地;

采样开关管的源极作为所述栅压自举开关电路的输入端并连接第四NMOS管的漏极,其漏极作为所述栅压自举开关电路的输出端;

其特征在于,所述栅压自举开关电路还包括第七NMOS管、第八NMOS管和第四PMOS管,

第四PMOS管的栅极连接第二PMOS管的栅极,其源极连接第二PMOS管的源极,其漏极连接第七NMOS管的漏极、第四NMOS管的栅极和采样开关管的衬底;

第七NMOS管的栅极连接电源电压,其源极连接第八NMOS管的漏极;

第八NMOS管的栅极连接所述第二时钟信号,其源极接地。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010062295.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top