[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底；

于所述衬底上形成多层图形化掩膜层，其中，所述多层图形化掩膜层中的底层图形化掩膜层的材料包括硅基氧化物、硅基氮化物、金属氧化物及金属氮化物中的至少一种，顶层图形化掩膜层为图形化金属掩膜层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括于所述衬底上形成氮化物缓冲层：

于所述衬底上形成至少一层第一氮化物缓冲层，所述第一氮化物缓冲层包括Mg_xIn_yGa_zAl_wN层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤w≤1且x+y+z+w＝1；

于所述第一氮化物缓冲层的表面形成第二氮化物缓冲层，所述第二氮化物缓冲层包括Mg_xIn_yGa_zAl_wN层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0＜z≤1，0≤w≤1且x+y+z+w＝1。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述含氮缓冲层上形成所述多层图形化掩膜层包括如下步骤：

于所述含氮缓冲层的表面形成底层掩膜层；

于所述底层掩膜层上形成顶层掩膜层，所述顶层掩膜层包括单层金属层或至少两种金属形成的合金层；

对所述顶层掩膜层及所述底层掩膜层进行图形化处理，以得到包括所述底层图形化掩膜层及所述顶层图形化掩膜层的所述多层图形化掩膜层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述底层掩膜层上形成所述顶层掩膜层之前还包括于所述底层掩膜层的表面形成中间掩膜层的步骤，所述中间掩膜层的材料包括硅基氧化物、硅基氮化物、金属氧化物、金属氮化物及金属中的至少一种；所述顶层掩膜层形成于所述中间掩膜层的表面；对所述顶层掩膜层及所述底层掩膜层进行图形化处理的同时对所述中间掩膜层进行图形化处理，得到的所述多层图形化掩膜层还包括中间图形化掩膜层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述含氮缓冲层上形成所述多层图形化掩膜层包括如下步骤：

于所述含氮缓冲层的表面形成底层掩膜层；

对所述底层掩膜层进行图形化处理，以得到所述底层图形化掩膜层；

于所述底层图形化掩膜层上形成顶层掩膜层，所述顶层掩膜层包括单层金属层或至少两种金属形成的合金层；

对所述顶层掩膜层进行图形化处理，以得到所述顶层图形化掩膜层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述底层图形化掩膜层上形成所述顶层掩膜层之前还包括如下步骤：

于所述底层图形化掩膜层的表面形成中间掩膜层；所述中间掩膜层的材料包括硅基氧化物、硅基氮化物、金属氧化物、金属氮化物及金属中的至少一种；

对所述中间掩膜层进行图形化处理，以得到中间图形化掩膜层；其中，

所述顶层掩膜层形成于所述中间图形化掩膜层的表面。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，基于同一掩膜版对所述底层掩膜层、所述中间掩膜层及所述顶层掩膜层进行图形化处理。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

多层图形化掩膜层，包括底层图形化掩膜层及顶层图形化掩膜层；所述底层图形化掩膜层位于所述衬底上，所述顶层图形化掩膜层位于所述底层图形化掩膜层上；所述多层图形化掩膜层中的底层掩膜层的材料包括硅基氧化物、硅基氮化物、金属氧化物及金属氮化物中的至少一种，顶层图形化掩膜层包括图形化金属掩膜层。