[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

第1电极；

第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第1电极之上，与上述第1电极电连接；

第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域之上；

第1导电型的第3半导体区域，设置在上述第1半导体区域之上，包围上述第2半导体区域，具有比上述第1半导体区域高的第1导电型的杂质浓度；

第2导电型的第1环状区域，设置在上述第2半导体区域与上述第3半导体区域之间，与上述第2半导体区域以及上述第3半导体区域分离，包围上述第2半导体区域；

第2导电型的第2环状区域，设置在上述第1环状区域与上述第3半导体区域之间，与上述第1环状区域以及上述第3半导体区域分离，包围上述第1环状区域；

第2电极，设置在上述第2半导体区域之上，与上述第2半导体区域电连接；

第3电极，设置在上述第3半导体区域之上，包围上述第2电极，与上述第3半导体区域电连接；

第1导电层，隔着绝缘层设置在上述第1环状区域之上、上述第2环状区域之上、以及位于上述第1环状区域与上述第2环状区域之间的上述第1半导体区域的第1区域之上，与上述第2电极以及上述第3电极分离，包围上述第2电极；以及

半绝缘层，与上述第2电极、上述第1导电层以及上述第3电极相接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

第2导电型的第3环状区域，设置在上述第2环状区域与上述第3半导体区域之间，与上述第2环状区域以及上述第3半导体区域分离，包围上述第2环状区域；以及

第2导电层，隔着上述绝缘层设置在上述第2环状区域之上、上述第3环状区域之上、以及位于上述第2环状区域与上述第3环状区域之间的上述第1半导体区域的第2区域之上，与上述第1导电层以及上述第3电极分离，包围上述第1导电层。

3.一种半导体装置，其中，具备：

第1电极；

第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第1电极之上，与上述第1电极电连接；

第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域之上；

第1导电型的第3半导体区域，设置在上述第1半导体区域之上，包围上述第2半导体区域，具有比上述第1半导体区域高的第1导电型的杂质浓度；

第2导电型的多个环状区域，在上述第2半导体区域与上述第3半导体区域之间相互分离地设置，与上述第2半导体区域以及上述第3半导体区域分离，分别包围上述第2半导体区域；

第2电极，设置在上述第2半导体区域之上，与上述第2半导体区域电连接；

第3电极，设置在上述第3半导体区域之上，包围上述第2电极，与上述第3半导体区域电连接；

多个导电层，隔着绝缘层设置在上述多个环状区域之上，在上述第2电极与上述第3电极之间相互分离，与上述第2电极以及上述第3电极分离，分别包围上述第2电极；以及

半绝缘层，与上述第2电极、上述多个导电层、以及上述第3电极相接；

上述多个导电层分别设置在相互相邻的两个上述环状区域之上、以及位于上述两个环状区域之间的上述第1半导体区域的一部分之上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第2半导体区域的第2导电型的杂质总量是0.5×10¹³atom/cm²以上、3.0×10¹³atom/cm²以下。

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

上述半绝缘层的电阻率是1.0×10⁸Ω·cm以上且小于1.0×10¹³Ω·cm。

6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，还具备：

第1导电型的第4半导体区域，设置在上述第2半导体区域之上；以及

栅极电极，隔着栅极绝缘层而与上述第2半导体区域对置。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

还具备设置在上述第1电极与上述第1半导体区域之间的第2导电型的第5半导体区域。