[发明专利]一种集成背光探测器的二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种集成背光探测器的超辐射发光二极管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在半导体外延片的正面形成预设图形的光波导；

在所述半导体外延片正面的第一区域形成电隔离，得到吸收区；

在所述半导体外延片正面的第二区域和第三区域形成第一电极，所述第二区域位于所述吸收区的一侧，所述第三区域位于所述吸收区的另一侧或所述吸收区的内部，所述第二区域为发光区，第三区域为探测区；

在所述半导体外延片的背面形成第二电极，得到集成背光探测器的超辐射发光二极管；

其中，在所述半导体外延片正面的第一区域形成电隔离，得到吸收区，包括：

在所述半导体外延片正面的第一区域采用质子注入或扩散的工艺形成电隔离，得到吸收区。

2.根据权利要求1所述的集成背光探测器的超辐射发光二极管制备方法，其特征在于，在半导体外延片的正面形成预设图形的光波导之前，包括：

选定衬底；

在所述衬底上依次生长下接触层、下过渡层、有源层、上过渡层、上接触层，形成所述半导体外延片。

3.根据权利要求1所述的集成背光探测器的超辐射发光二极管制备方法，其特征在于，在半导体外延片的正面形成预设图形的光波导，包括：

在半导体外延片的正面淀积掩膜层；

在所述掩膜层上光刻得到预设图形；

根据所述预设图形对所述掩膜层进行刻蚀，得到预设图形的光波导。

4.根据权利要求1所述的集成背光探测器的超辐射发光二极管制备方法，其特征在于，在所述半导体外延片正面的第二区域和第三区域形成第一电极，包括：

在所述半导体外延片的正面形成钝化层；

在所述钝化层的第二区域和第三区域形成电极开孔；

在所述电极开孔中形成第一电极。

5.根据权利要求1所述的集成背光探测器的超辐射发光二极管制备方法，其特征在于，还包括：在二极管的出光端面和背光端面形成增透膜。

6.一种集成背光探测器的超辐射发光二极管，其特征在于，包括：

半导体外延片，所述半导体外延片的正面具有光波导结构，所述半导体外延片的第一区域包含用于电隔离的吸收区，所述用于电隔离的吸收区采用质子注入或扩散的工艺形成；

第一电极，设置在所述半导体外延片正面的第二区域和第三区域，第二区域位于所述吸收区的一侧，所述第三区域位于所述吸收区的另一侧或所述吸收区的内部，所述第二区域为发光区，第三区域为探测区；

第二电极，设置在所述半导体外延片的背面。

7.根据权利要求6所述的集成背光探测器的超辐射发光二极管，其特征在于，还包括：

钝化层，设置在所述半导体外延片的正面，所述钝化层的第二区域和第三区域包括电极开孔，所述第一电极设置在所述电极开孔中。

8.根据权利要求6所述的集成背光探测器的超辐射发光二极管，其特征在于，还包括：

增透膜，设置在二极管的出光端面和背光端面。

9.根据权利要求6所述的集成背光探测器的超辐射发光二极管，其特征在于，所述光波导结构为直波导结构、弯曲波导结构或楔形波导结构中的一种或多种。