[发明专利]一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法及工装

权利要求书

1.一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的工装，其特征在于：包括上板(1)和下板(2)，所述上板(1)和下板(2)通过固定栓(3)连接；所述上板(1)一侧设有手柄(5)；

所述下板(2)的内侧面上设有用于固定作为芯片减薄用贴片工件的陶瓷盘(7)的固定槽(4)，所述固定槽(4)与陶瓷盘(7)的周向接触面截面形状为一优弧，其中附有芯片的陶瓷盘有芯片的一面朝上放在下板的固定槽中，芯片的正面通过蜡粘附在陶瓷盘上；

所述上板(1)和下板(2)上均设有若干的板孔(6)。

2.一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法，其特征在于：包括以下步骤：

a、贴片：将陶瓷盘(7)进行加热，将蜡涂抹在变热后的陶瓷盘(7)表面上，然后将待研磨的芯片(8)的正面通过蜡粘附在陶瓷盘(7)上；

b、压片：将贴有芯片(8)的陶瓷盘(7)置于压片机下进行压片，压片机平台进行加热，加热温度为90±5℃，从而在压片时，蜡被融化，通过压片机能够将多余的蜡挤出来，使得芯片与陶瓷盘之间均匀的涂抹一层蜡层；

c、研磨：将陶瓷盘(7)吸附在研磨机机械臂的吸盘上进行芯片(8)衬底的研磨；

d、涮洗：将研磨后的芯片(8)进行涮洗；

e、抛光：将带芯片(8)的陶瓷盘(7)放在权利要求1所述的工装的固定槽(4)内，且陶瓷盘(7)带芯片(8)的一面朝上，用工装将陶瓷盘(7)没入抛光试剂中进行腐蚀抛光；

f、冲洗：将完成抛光后的陶瓷盘(7)用工装提出后，放到纯水水龙头下冲洗；

g、下片：将冲洗后的陶瓷盘(7)重新加热，待蜡融化后取下芯片(8)。

3.根据权利要求2所述的一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法，其特征在于：步骤a中对陶瓷盘(7)进行加热所用的加热装置为平板加热器，平板加热器的加热温度为90±5℃。

4.根据权利要求2所述的一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法，其特征在于：步骤d中使用的洗涤试剂为碳酸钠溶液，碳酸钠溶液中碳酸钠与纯水的质量比为1:(5-10)。

5.根据权利要求2所述的一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法，其特征在于：步骤e中，抛光试剂主要成分包括氨水、双氧水、纯水。

6.根据权利要求2所述的一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法，其特征在于：步骤f中，对陶瓷盘(7)冲洗的时间不少于两分钟。

7.根据权利要求2所述的一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法，其特征在于：步骤g中，用平板加热器对冲洗后的陶瓷盘(7)加热，平板加热器的加热温度为105±5℃。