[发明专利]一种ZnO/InGaN异质结发光二极管及其制备方法有效

申请号：	202010059164.7	申请日：	2020-01-19
公开（公告）号：	CN111384218B	公开（公告）日：	2022-01-18
发明（设计）人：	姜明明;唐楷;阚彩侠;刘洋;马琨傑	申请（专利权）人：	南京航空航天大学
主分类号：	H01L33/26	分类号：	H01L33/26;H01L33/00
代理公司：	南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204	代理人：	柏尚春
地址：	210016 江***	国省代码：	江苏;32
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	一种 zno ingan 结发二极管及其制备方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种ZnO/InGaN异质结发光二极管，其特征在于，包括p-InGaN衬底(2)、ZnO:Ga微米线(3)，所述p-InGaN衬底(2)上制备有合金薄膜电极(1)，所述ZnO:Ga微米线(3)紧贴在p-InGaN衬底(2)上，且不接触合金薄膜电极(1)，ZnO:Ga微米线(3)与p-InGaN衬底(2)构成n-ZnO:Ga/p-InGaN异质结构，所述ZnO:Ga微米线(3)远离合金薄膜电极(1)的一端附着有Ag薄膜电极(4)；

所述合金薄膜电极(1)占p-InGaN衬底(2)面积的1/5～1/4；

所述合金薄膜电极(1)为Ni/Au电极，厚度为40～50nm；

所述合金薄膜电极(1)上粘附有金属颗粒电极(5)；

所述金属颗粒电极(5)为In电极；

所述p-InGaN衬底(2)厚度为635～665μm，空穴浓度为10¹⁷～10¹⁹个/cm³；

所述n-ZnO:Ga微米线的电子浓度为10¹⁷～10¹⁹个/cm³，电子迁移率为5～100cm²/V·s；

所述Ag薄膜电极(4)厚度为30～40nm。

2.一种权利要求1所述的ZnO/InGaN异质结发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤；

(S1)利用电子束蒸镀法在p-InGaN衬底(2)上沉积合金薄膜电极(1)；

(S2)利用电子束蒸镀法在n-ZnO:Ga微米线(3)一端的侧面上沉积Ag薄膜电极(4)；

(S3)将镀有Ag薄膜电极(4)的单根n-ZnO:Ga微米线(3)的面向上紧贴在p-InGaN衬底(2)上，确保金属Ag不与p-InGaN衬底(2)表面接触，n-ZnO:Ga微米线(3)也不和合金薄膜电极(1)接触，即得到ZnO/InGaN异质结发光二极管。

3.根据权利要求2所述的ZnO/InGaN异质结发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，在合金薄膜电极(1)上再按压一个金属颗粒电极(5)。