[发明专利]静电放电防护装置

说明书

本发明公开一种静电放电防护装置，其包括第一阱、第二阱、第一掺杂区以及第二掺杂区。第一阱被配置于具有第一导电型的基底中，其中第一阱具有第二导电型，以及基底电连接至第一焊垫。第二阱被配置于第一阱中，其中第二阱具有第一导电型。第一掺杂区被配置于该第二阱中，其中第一掺杂区具有第二导电型，以及第一掺杂区电连接至第二焊垫。第二掺杂区被配置于第二阱中，其中第二掺杂区具有第一导电型。

技术领域

本发明涉及一种电子电路，且特别是涉及一种静电放电(electrostaticdischarge，ESD)防护装置。

背景技术

一般而言，集成电路中通常设置有ESD防护元件，以保护集成电路的内部电路免受ESD电流的破坏。举例来说，集成电路可通过将ESD防护元件设置于电源轨线(power rails)与信号焊垫(signal pad)之间，以即时排放大量的ESD电流。当信号焊垫发生ESD正脉冲时，此ESD防护元件可以将信号焊垫的ESD电流即时导引至电源轨线(电源焊垫)。当信号焊垫发生ESD负脉冲时，此ESD防护元件可以从电源轨线(电源焊垫)传输电流至信号焊垫。

需注意的是，「现有技术」段落的内容是用来帮助了解本发明。在「现有技术」段落所揭露的部分内容(或全部内容)可能不是所属技术领域中具有通常知识者所知道的现有技术。在「现有技术」段落所揭露的内容，不代表该内容在本发明申请前已被所属技术领域中具有通常知识者所知悉。

发明内容

本发明提供一种静电放电(electrostatic discharge，ESD)防护装置，以提供ESD防护。

本发明的一种ESD防护装置包括第一阱、第二阱、第一掺杂区以及第二掺杂区。第一阱被配置于具有第一导电型的基底中，其中第一阱具有第二导电型，以及基底电连接至第一焊垫。第二阱被配置于第一阱中，其中第二阱具有第一导电型。第一掺杂区被配置于该第二阱中，其中第一掺杂区具有第二导电型，以及第一掺杂区电连接至第二焊垫。第二掺杂区被配置于第二阱中，其中第二掺杂区具有第一导电型。

本发明的一种ESD防护装置包括硅控整流器(silicon-controlled rectifier，SCR)、第一ESD防护电路以及第二ESD防护电路。SCR的第一端耦接至第一焊垫。SCR的第二端耦接至第二焊垫。第一ESD防护电路的第一端耦接至SCR的第二端。第一ESD防护电路的第二端耦接至SCR的控制端。第二ESD防护电路的第一端耦接至SCR的控制端。第二ESD防护电路的第二端耦接至第一焊垫。

基于上述，本发明诸实施例所述ESD防护装置提供一种布局结构(ESD防护电路)。所述布局结构内嵌SCR。当ESD的电流流过第一ESD防护电路(于第二阱中的NP结)时，SCR会被即时导通(turn on)。此时，SCR可以传输大量的ESD电流于第一焊垫与第二焊垫之间。因此，所述ESD防护装置可以提供ESD防护。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

图1A是本发明的一实施例的一种静电放电防护装置的布局结构的剖面示意图；

图1B是本发明的一实施例的一种静电放电防护装置的电路方块(circuit block)示意图；

图2A是本发明的另一实施例的一种静电放电防护装置的布局结构的剖面示意图；

图2B是本发明的另一实施例的一种静电放电防护装置的电路方块示意图；

图3A是本发明的又一实施例的一种静电放电防护装置的布局结构的剖面示意图；

图3B是本发明的又一实施例的一种静电放电防护装置的电路方块示意图；

图4A是本发明的再一实施例的一种静电放电防护装置的布局结构的剖面示意图；