[发明专利]一种屏蔽栅结构及其形成方法

权利要求书

1.一种屏蔽栅结构，其特征在于，该结构至少包括：

设有沟槽的衬底；形成于该沟槽中的屏蔽栅多晶硅；所述屏蔽栅多晶硅侧壁及底部设有紧贴所述沟槽内壁的屏蔽栅介质层；所述屏蔽栅多晶硅的顶部高于所述屏蔽栅介质层的顶部；覆盖于所述屏蔽栅多晶硅顶部和所述屏蔽栅介质层顶部的第二介质层；所述第二介质层填充于所述沟槽内；

形成于所述第二介质层上的第二多晶硅；所述第二多晶硅侧壁设有栅介质层；形成于所述衬底上表面、所述栅介质层两侧的阱；所述阱的上表面两侧分别设有源极；所述阱与所述第二多晶硅上连接有金属；所述源极上表面与所述第二多晶硅上表面的非金属区域覆盖有第三介质层。

2.根据权利要求1所述的屏蔽栅结构，其特征在于：连接于所述第二多晶硅的金属引出至所述第三介质层的上表面。

3.根据权利要求1所述的屏蔽栅结构，其特征在于：连接于所述阱的所述金属引出至所述第三介质层的上表面。

4.根据权利要求1所述的屏蔽栅结构，其特征在于：所述衬底为硅衬底，所述硅衬底上设有外延层。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的屏蔽栅结构的形成方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供衬底，在所述衬底上刻蚀形成沟槽，在所述沟槽的侧壁及底部沉积屏蔽栅介质层；

步骤二、在所述沟槽内的所述屏蔽栅介质层上淀积屏蔽栅多晶硅，并回刻所述屏蔽栅多晶硅；

步骤三、在所述沟槽内的屏蔽栅多晶硅上填充光刻胶，并沿所述沟槽侧壁刻蚀所述屏蔽栅介质层至暴露出一部分光刻胶为止；

步骤四、去除沟槽内的光刻胶；

步骤五、在所述衬底表面以及所述沟槽内沉积覆盖于所述屏蔽栅多晶硅顶部和所述屏蔽栅介质层顶部的第二介质层；

步骤六、回刻所述第二介质层至所述沟槽内且保留覆盖在所述屏蔽栅多晶硅顶部和所述屏蔽栅介质层顶部的一部分为止；

步骤七、在所述沟槽内壁形成栅介质层，接着在所述沟槽内的所述第二介质层上淀积第二多晶硅；

步骤八、在所述栅介质层两侧的衬底上形成阱；并在所述阱的两侧形成源极；

步骤九、在所述源极、阱以及第二多晶硅的上表面淀积第三介质层；

步骤十、刻蚀所述第三介质层使得在所述阱以及第二多晶硅上方形成接触孔；

步骤十一、在所述接触孔中填充金属。

6.根据权利要求5所述的屏蔽栅结构，其特征在于：步骤八在所述栅介质层两侧的衬底上以注入推进的方式形成所述阱。

7.根据权利要求5所述的屏蔽栅结构，其特征在于：步骤八在所述阱的两侧以注入推进的方式形成所述源极。

8.根据权利要求5所述的屏蔽栅结构，其特征在于：步骤十一在所述接触孔中填充的金属覆盖所述部分所述第三介质层的上表面。

9.根据权利要求5所述的屏蔽栅结构，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底，所述硅衬底上形成有外延层。