[发明专利]一种电子雷管芯片OTP存储器可靠存储方法及系统

说明书

本发明涉及电子雷管技术领域，具体地说，涉及一种电子雷管芯片OTP存储器可靠存储方法及系统。其方法包括如下步骤：电子雷管芯片封装后的测试时，首先读取整个存储区，确保所有存储区数据读出均为0xFF，剔除读出不是0xFF的芯片；在电子雷管生产环节，写入数据时，电子雷管芯片收到写入指令和要写入的UID码之后，进行读写。该电子雷管芯片OTP存储器可靠存储方法及系统中，采用OTP存储器替代原电子雷管通用的EEPROM存储器，OTP存储器是一种一次性存储器，其可靠性高，不容易丢失数据，工艺简单，与一般的数模混合工艺匹配，大多数晶圆代工企业都支持这种工艺，通过坏存储区指示的方法，将损坏的存储区进行标记，避开损坏区域，使数据可靠存储。

技术领域

本发明涉及电子雷管技术领域，具体地说，涉及一种电子雷管芯片OTP存储器可靠存储方法及系统。

背景技术

电子雷管芯片是控制电子雷管延时起爆的核心组件，其性能与可靠性直接影响电子雷管的质量和现场应用效果。按照电子雷管国家标准，每颗电子雷管芯片都具有15位的UID号、8位密码及延期时间等数据，需要存储在电子雷管芯片内部，这些数据占据14字节(UID8字节，密码4字节，延期时间2字节)，掉电后，需要保存至少10年时间，不能丢失，否则该发电子雷管无法使用。传统形式一般采用EEPROM存储器来存储这些数据，但采用这种形式的电子雷管芯片具有以下缺点：

(1)电子雷管芯片是一种数模混合集成电路，需要高耐压、低功耗，EEPROM工艺特殊，与这种数模混合集成电路工艺不同，一般的工艺很难兼容这两种形式，造成能够制造电子雷管芯片的晶圆代工企业较少，价格高昂，产能有限；

(2)EEPROM存储器存在失效问题，由于其靠存储在内部的电荷来存储数据，电子雷管工作环境恶劣，经常有高压静电、振动等冲击，极易造成EEPROM内部存储区的电荷被意外释放，导致数据丢失，这种数据丢失占比约50～100ppm，经常造成现场电子雷管入孔后数据丢失，无法使用，产生盲炮，直接提高生产成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电子雷管芯片OTP存储器可靠存储方法及系统，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述技术问题的解决，本发明的目的之一在于，提供一种电子雷管芯片OTP存储器可靠存储方法，其方法包括如下步骤：

S1、电子雷管芯片采用OTP存储器，电子雷管芯片封装后的测试时，首先读取整个存储区，确保所有存储区数据读出均为0xFF，剔除读出不是0xFF的芯片；

S2、在电子雷管生产环节，写入数据时，电子雷管芯片收到写入指令和要写入的UID码之后，进行读写。

作为优选，所述S2中，电子雷管芯片收到写入指令和要写入的UID码之后，进行读写的步骤如下：

S2.1、记要写入的OTP地址为WriteAddress，其初值为8，将UID码的第1字节写入地址为WriteAddress的位置，并等待写入完成；

S2.2、回读地址WriteAddress的内容，如果回读的数据与写入的数据相同，则说明写入成功，将WriteAddress加1，并执行S2.5，如果写入失败，执行S2.3；

S2.3、如果写入失败，则将地址0的bit7写入0，并回读地址0，如果bit7为0，说明坏存储区标记成功，跳转到S2.4，否则将地址4的bit7写入0，并回读地址4，如果bit7为0，说明坏存储区标记成功，跳转到步骤S2.4，否则说明存储区损坏太多，且无法修复，本发明电子雷管无法继续使用；

S2.4、由于地址WriteAddress存储区损坏，所以将WriteAddress加1，重新执行S2.1；

S2.5、将UID码的第2字节写入地址为WriteAddress的位置，并等待写入完成；