[发明专利]一种用于焊接模块的改良芯片在审

专利信息
申请号: 202010056559.1 申请日: 2020-01-18
公开(公告)号: CN111244172A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 颜辉;颜廷刚;邵凌翔 申请(专利权)人: 常州瑞华新能源科技有限公司
主分类号: H01L29/74 分类号: H01L29/74;H01L29/417;H01L29/423;H01L23/48
代理公司: 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 代理人: 吕波
地址: 213299 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 焊接 模块 改良 芯片
【权利要求书】:

1.一种用于焊接模块的改良芯片,包括芯片;其特征是:所述芯片(3)上表面的门极电极(3-5)设置在电极层(3-2)中心,所述门极电极(3-5)外圈附有环状放大门极电极(3-3),所述放大门极(3-3)外围设置有阴极电极(3-7),所述放大门极电极(3-3)向外均匀延伸呈放射状,所述放大门极电极(3-3)向外延伸的分支间隔相等,所述放大门极电极(3-3)上方、放大门极电极(3-3)与阴极电极(3-7)之间的间隙上覆盖有阻焊层(3-4),所述阻焊层(3-4)顶部与第二钼片(1)绝缘隔离接触,所述第二钼片(1)底面与芯片(3)上表面的电极层(3-2)焊接,所述第二钼片(1)中心卡装有绝缘引线套(1-2),所述绝缘引线套(1-2)内置的门极电极引线(5)沿引出孔(1-1)伸出。

2.根据权利要求1所述的一种用于焊接模块的改良芯片,其特征是:所述芯片(3)由第一钼片(3-6)、硅片(3-1)和电极层(3-2)由下之上依次焊接堆叠组成,所述电极层(3-2)上表面镀有Ag或者Ni,第一钼片(3-6)底面镀有Ni。

3.根据权利要求1所述的一种用于焊接模块的改良芯片,其特征是:所述放大门极电极(3-5)和门极电极(3-5)上镀有Ag或者Ni。

4.根据权利要求1所述的一种用于焊接模块的改良芯片,其特征是:所述第二钼片(1)上下表面镀有Ni。

5.根据权利要求1所述的一种用于焊接模块的改良芯片,其特征是:所述阻焊层(3-4)属于绝缘材质。

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