[发明专利]光栅波导微流体芯片在审
| 申请号： | 202010055036.5 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111135891A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陈昌;刘博;王靖 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00;G01N21/63 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 黄少波 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光栅 波导 流体 芯片 | ||
1.一种光栅波导微流体芯片，包括：光栅波导和微流道，其特征在于，所述光栅波导包括出射光栅，所述出射光栅位于所述微流道下方用以将光沿垂直方向向上导入所述微流道内，
还包括：依次由下而上设置的下包层、波导层、保护层和上包层；所述波导层是氮化硅材料，所述波导层用以形成所述光栅波导；所述保护层是二氧化硅材料，用以覆盖所述光栅波导并保护所述出射光栅；
所述微流道贯穿所述上包层以暴露出所述保护层；
所述下包层是厚度为15～30μm的高分子聚合材料，所述上包层是厚度为15～30μm的高分子聚合材料，所述微流道宽度为10-100μm。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，若干个所述光栅波导相互平行，以将光导入所述微流道，所述光栅波导的宽度为300-600nm。
3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述波导层的折射率为1.75-2.2。
4.根据权利要求2～3所述的芯片，其特征在于，所述波导层厚度为150nm-1000nm。
5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括氮化硅材料的入射光栅，以与所述光栅波导形成耦合光栅波导，将所述上包层上方的光导入所述光栅波导直至沿垂直方向向上导入所述微流道；所述保护层覆盖并保护所述入射光栅。
6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，包括若干个相互平行的所述耦合光栅波导。
7.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述波导层厚度为150nm-1000nm，所述耦合光栅波导的宽度为300-600nm。
8.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括光纤，所述光纤与所述光栅波导光连接。
9.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述高分子聚合材料是SU-8树脂、聚酰亚胺、聚二甲基硅烷、聚乙烯或苯丙环丁烯。
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