[发明专利]一种电子雷管通信电路以及电子雷管

权利要求书

1.一种电子雷管通信电路，包括通信母线、整流电路和芯片，所述通信母线连接所述整流电路的输入端，所述芯片连接于所述整流电路的输出端，其特征在于，所述电子雷管通信电路还包括差模抑制电路，所述差模抑制电路包括开关管元件和电压保护元件，所述电压保护元件一端连接所述通信母线，另一端接地，所述开关管元件具有信号控制端，所述信号控制端与所述电压保护元件接地的一端连接，当发生差模干扰时，所述电压保护元件通过所述信号控制端使所述开关管元件导通，令所述通信 母线通过所述开关管元件接地；

所述开关管元件为PNP型三极管、NPN型三极管和NMOS管中任意一种，所述差模抑制电路还包括第一转换元件，当开关管元件为PNP型三极管时，所述PNP型三极管的基极为信号控制端，PNP型三极管的基极通过所述第一转换元件连接所述电压保护元件接地的一端，集电极连接所述通信母线，发射极接地。

2.根据权利要求1所述的电子雷管通信电路，其特征在于，当所述开关管元件为NPN型三极管，所述NPN型三极管的基极为信号控制端，集电极连接所述通信母线，发射极接地。

3.根据权利要求1所述的电子雷管通信电路，其特征在于，当所述开关管元件为NMOS管，所述NMOS管的栅极为信号控制端，漏极连接所述通信母线，源极接地。

4.根据权利要求1所述的电子雷管通信电路，其特征在于，所述第一转换元件为NPN型三极管，用以在发生差模干扰时将所述电压保护元件的高电平转换为低电平，所述第一转换元件的NPN型三极管的基极连接所述电压保护元件接地的一端，集电极通过电阻连接所述通信母线，发射极接地，所述第一转换元件的NPN型三极管的集电极连接所述信号控制端。

5.根据权利要求1所述的电子雷管通信电路，其特征在于，所述第一转换元件为NMOS管，用以在发生差模干扰时将所述电压保护元件的高电平转换为低电平，所述第一转换元件的NMOS管的栅极连接所述电压保护元件接地的一端，漏极通过电阻连接所述通信母线，源极接地，所述第一转换元件的NMOS管的漏极连接所述信号控制端。

6.一种电子雷管通信电路，包括通信母线、整流电路和芯片，所述通信母线连接所述整流电路的输入端，所述芯片连接于所述整流电路的输出端，其特征在于，所述电子雷管通信电路还包括差模抑制电路，所述差模抑制电路包括开关管元件和电压保护元件，所述电压保护元件一端连接所述通信母线，另一端接地，所述开关管元件具有信号控制端，所述信号控制端与所述电压保护元件接地的一端连接，当发生差模干扰时，所述电压保护元件通过所述信号控制端使所述开关管元件导通，令所述通信 母线通过所述开关管元件接地；

所述开关管元件为PMOS管，所述差模抑制电路还包括第二转换元件，所述PMOS管的栅极为信号控制端，PMOS管的栅极通过所述第二转换元件连接所述电压保护元件接地的一端，漏极连接所述通信母线，源极接地。

7.根据权利要求6所述的电子雷管通信电路，其特征在于，所述第二转换元件为NPN型三极管，用以在发生差模干扰时将所述电压保护元件的高电平转换为低电平，所述NPN型三极管的基极连接所述电压保护元件接地的一端，集电极通过电阻连接所述通信母线，发射极接地，所述NPN型三极管的集电极连接所述信号控制端。

8.根据权利要求6所述的电子雷管通信电路，其特征在于，所述第二转换元件为NMOS管，用以在发生差模干扰时将所述电压保护元件的高电平转换为低电平，所述NMOS管的栅极连接所述电压保护元件接地的一端，漏极通过电阻连接所述通信母线，源极接地，所述NMOS管的漏极连接所述信号控制端。

9.根据权利要求1至8之一所述的电子雷管通信电路，其特征在于，所述电压保护元件为瞬态电压抑制二极管、压敏电阻或是气体放电管。

10.一种电子雷管，其特征在于，所述电子雷管包括权利要求1至9任意一项所述的电子雷管通信电路。