[发明专利]一种高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 202010053885.7 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN113135746B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 赵相毓;林慧兴;顾忠元 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/19 | 分类号: | C04B35/19;C04B35/10;C04B35/48 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;牛彦存 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 绝缘 导热 抗压强度 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷材料的化学组成为:xKAl2(AlSi3O10)(OH)2-yAl2O3-zZrO2,x+y+z=100wt%,且10wt%≤x≤40wt%,10wt%≤y≤80wt%,10wt%≤z≤80wt%。
2.根据权利要求1所述的高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料,其特征在于,所述xKAl2(AlSi3O10)(OH)2-yAl2O3-zZrO2的原料组成为:10~20wt%的KAl2(AlSi3O10)(OH)2,40~60wt%的Al2O3,10~30wt% 的ZrO2。
3.根据权利要求2所述的高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料,其特征在于,所述KAl2(AlSi3O10)(OH)2的原料组成包括:10~40wt% 的K源,35~45wt%的Al源,40~50wt%的Si源。
4.根据权利要求3所述的高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料,其特征在于,所述K源为K2O、KOH、K2CO3中的至少一种,所述Al源为Al2O3、Al(OH)3中的至少一种,所述Si源为硅微粉、硅砂、SiO2中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷材料在25~600℃的体积电阻率大于1010Ω·cm,抗压强度为1000~1300MPa。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
按照KAl2(AlSi3O10)(OH)2的原料组成称料,球磨烘干过筛后,在1000~1300℃预烧2~6小时,得到KAl2(AlSi3O10)(OH)2粉体;以及
按照xKAl2(AlSi3O10)(OH)2-yAl2O3-zZrO2的原料组成将KAl2(AlSi3O10)(OH)2粉体、Al2O3和ZrO2球磨烘干过筛后,加入粘结剂造粒,压制成型后,在1300~1500℃烧结2~6小时,得到所述高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在和KAl2(AlSi3O10)(OH)2球磨前,所述Al2O3和ZrO2在1100℃~1300℃预烧3-5小时。
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