[发明专利]一种高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010053885.7 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN113135746B 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 赵相毓;林慧兴;顾忠元 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/19 分类号: C04B35/19;C04B35/10;C04B35/48
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;牛彦存
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 绝缘 导热 抗压强度 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷材料的化学组成为:xKAl2(AlSi3O10)(OH)2-yAl2O3-zZrO2,x+y+z=100wt%,且10wt%≤x≤40wt%,10wt%≤y≤80wt%,10wt%≤z≤80wt%。

2.根据权利要求1所述的高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料,其特征在于,所述xKAl2(AlSi3O10)(OH)2-yAl2O3-zZrO2的原料组成为:10~20wt%的KAl2(AlSi3O10)(OH)2,40~60wt%的Al2O3,10~30wt% 的ZrO2

3.根据权利要求2所述的高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料,其特征在于,所述KAl2(AlSi3O10)(OH)2的原料组成包括:10~40wt% 的K源,35~45wt%的Al源,40~50wt%的Si源。

4.根据权利要求3所述的高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料,其特征在于,所述K源为K2O、KOH、K2CO3中的至少一种,所述Al源为Al2O3、Al(OH)3中的至少一种,所述Si源为硅微粉、硅砂、SiO2中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷材料在25~600℃的体积电阻率大于1010Ω·cm,抗压强度为1000~1300MPa。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

按照KAl2(AlSi3O10)(OH)2的原料组成称料,球磨烘干过筛后,在1000~1300℃预烧2~6小时,得到KAl2(AlSi3O10)(OH)2粉体;以及

按照xKAl2(AlSi3O10)(OH)2-yAl2O3-zZrO2的原料组成将KAl2(AlSi3O10)(OH)2粉体、Al2O3和ZrO2球磨烘干过筛后,加入粘结剂造粒,压制成型后,在1300~1500℃烧结2~6小时,得到所述高绝缘低导热高抗压强度陶瓷材料。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在和KAl2(AlSi3O10)(OH)2球磨前,所述Al2O3和ZrO2在1100℃~1300℃预烧3-5小时。

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