[发明专利]热介质的控制方法和热介质控制装置在审
申请号: | 202010053082.1 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN111489985A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 小林启;有田毅彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介质 控制 方法 装置 | ||
本发明提供一种热介质的控制方法和热介质控制装置,用于抑制伴随热介质的供给停止而产生的水击。该热介质的控制方法包括流量控制工序和供给停止工序。在流量控制工序中,在从供给被进行了温度控制的热介质的温度控制部向在与温度控制对象物进行热交换的热交换构件形成的流路内供给热介质的状态下,降低热介质的流量。在供给停止工序中,通过控制在将温度控制部与热交换构件的流路连接的供给配管上设置的供给阀,来使热介质向流路内的供给停止。
技术领域
本公开的各种方面和实施方式涉及一种热介质的控制方法。
背景技术
例如,在下述专利文献1中公开了如下一种再循环系统:通过使被进行了温度控制的液体通过被组装于基板支架的流路进行循环,能够使基板温度迅速地变化,该基板支架用于载置在等离子体室中被处理的基板。在该再循环系统中设置有两个(例如冷液和温液的)再循环装置,一个再循环装置被用作预加热单元,另一个再循环装置被用作预冷却单元。
专利文献1:日本特表2013-534716号公报
发明内容
本公开提供一种能够抑制伴随热介质的供给停止而产生的水击的热介质的控制方法和热介质控制装置。
本公开的一个方面是一种热介质的控制方法,包括流量控制工序和供给停止工序。在流量控制工序中,在从供给被进行了温度控制的热介质的温度控制部向在与温度控制对象物进行热交换的热交换构件形成的流路内供给热介质的状态下,降低热介质的流量。在供给停止工序中,通过控制在将温度控制部与热交换构件的流路连接的供给配管设置的供给阀,来使热介质向流路内的供给停止。
根据本公开的各种方面和实施方式,能够抑制伴随热介质的供给停止而产生的水击。
附图说明
图1是表示本公开的一个实施方式中的等离子体处理装置的一例的概要截面图。
图2是表示本公开的第一实施方式中的温度控制装置的一例的图。
图3是表示本公开的第一实施方式中的温度控制装置的动作的一例的时序图。
图4是表示初始状态下的温度控制装置的一例的图。
图5是表示第一旁通阀打开的状态下的温度控制装置的一例的图。
图6是表示第一供给阀关闭的状态下的温度控制装置的一例的图。
图7是表示在第一热介质的流动被切断的情况下施加于第一供给阀的压力的变化的一例的图。
图8是表示第二供给阀打开的状态下的温度控制装置的一例的图。
图9是表示第二返回阀打开的状态下的温度控制装置的一例的图。
图10是表示第一返回阀关闭的状态下的温度控制装置的一例的图。
图11是表示第二旁通阀关闭的状态下的温度控制装置的一例的图。
图12是表示本公开的第一实施方式中的热介质的控制方法的一例的流程图。
图13是表示本公开的第二实施方式中的热介质的控制方法的一例的时序图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造