[发明专利]数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置有效

专利信息
申请号: 202010051916.5 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN113138947B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 林玉祥;严绍维;叶志刚 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F11/10;G06F3/06
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 罗英;刘芳
地址: 中国台湾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 数据 写入 方法 存储器 控制电路 单元 以及 存储 装置
【说明书】:

发明提供一种数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置。所述方法包括:获得一数据;编码此数据中的多个子数据以获得分别对应于此些子数据的多个第一错误检查与校正码;将前述多个子数据以及第一错误检查与校正码写入至第一实体程序化单元;编码前述多个子数据以获得第二错误检查与校正码;以及将第二错误检查与校正码写入至第二实体程序化单元。

技术领域

本发明涉及一种数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置。

背景技术

数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如,闪存)具有数据非易失性、省电、体积小,以及无机械结构等特性,所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

一般来说,当存储器控制器从主机系统中接收到写入指令时,存储器控制器会为对应此写入指令的数据产生对应的错误更正码(error correcting code,ECC code)或错误检查码(error detecting code,EDC),并且存储器控制器会将对应此写入指令的数据与对应的错误更正码或错误检查码写入至可复写式非易失性存储器模块中。之后,当存储器控制器从可复写式非易失性存储器模块中读取数据时会同时读取此数据对应的错误更正码或错误检查码,并且错误检查与校正电路会依据此错误更正码或错误检查码对所读取的数据执行错误检查与校正程序。

需注意的是,在现有的方法中,通常是将数据与对应此数据的错误更正码或错误检查码写入至可复写式非易失性存储器模块中的同一个实体程序化单元中。然而,在可复写式非易失性存储器模块中,不同的实体程序化单元的可靠度并不相同。例如,在解码存储在某一个实体程序化单元中的数据时发生错误的机率会小于在解码存储在另一实体程序化单元中的数据时发生错误的机率。因此,若将数据与对应此数据的错误更正码或错误检查码写入至可靠度较低的实体程序化单元中时,可能有较高的机率无法成功的解码欲读取的数据。

因此,如何有效地解码存储在可靠度较低的实体程序化单元中的数据以提高解码成功的机率,是本领域技术人员所欲解决的问题之一。

发明内容

本发明提供一种数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置,可以有效地解码存储在可靠度较低的实体程序化单元中的数据以提高解码成功的机率。

本发明提出一种数据写入方法,用于一可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体抹除单元,所述多个实体抹除单元中的每一个实体抹除单元包括多个实体程序化单元,所述方法包括:获得一数据;编码所述数据中的多个子数据以获得分别对应于所述多个子数据的多个第一错误检查与校正码;将所述多个子数据以及所述多个第一错误检查与校正码写入至所述多个实体程序化单元中的一第一实体程序化单元;编码所述多个子数据以获得一第二错误检查与校正码;以及将所述第二错误检查与校正码写入至所述多个实体程序化单元中的一第二实体程序化单元。

在本发明的一实施例中,在解码存储在所述第二实体程序化单元中的数据时发生错误的机率小于在解码存储在所述第一实体程序化单元中的数据时发生错误的机率。

在本发明的一实施例中,所述方法还包括:接收用以读取所述数据的一读取指令;根据所述读取指令,读取所述第一实体程序化单元以获得分别对应于所述多个子数据的多个子码字(sub-codeword),并解码所述多个子码字;当在解码所述多个子码字的其中之一发生失败时,读取所述第二实体程序化单元以获得所述第二错误检查与校正码;以及解码由所述多个子数据与所述第二错误检查与校正码所组成的一码字。

在本发明的一实施例中,所述方法还包括:当解码由所述多个子数据与所述第二错误检查与校正码所组成的所述码字发生失败且发生失败的次数小于一门坎值时,再次执行解码所述多个子码字的步骤;以及当解码由所述多个子数据与所述第二错误检查与校正码所组成的所述码字发生失败且发生失败的次数非小于所述门坎值时,判断解码发生失败。

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