[发明专利]多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块在审
| 申请号： | 202010051606.3 | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111153407A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 祢津茂义;星野成大;冈田哲郎;齐藤弘 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨青;安翔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 反应炉 装置 方法 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅制造用反应炉，其用于利用西门子法来制造多晶硅，其特征在于，
该多晶硅制造用反应炉具有如下所述的炉内反应空间：
将与所述反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积设为S0、将通过多晶硅在配置于所述反应炉内的至少一对倒U字型硅芯线上的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和设为SR＝ΣSi时，
以S＝[S0-SR]/SR定义的反应空间截面积比在所述多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上。
2.一种多晶硅制造装置，其具备权利要求1所述的反应炉。
3.一种多晶硅的制造方法，其为利用西门子法的多晶硅的制造方法，其特征在于，
使用权利要求1所述的反应炉，在生长中的多晶硅棒的直径达到100mmφ为止的反应工序中，以排气中的三氯硅烷TCS与四氯化硅STC的重量％组成比为1.2以上的方式进行控制。
4.一种多晶硅的制造方法，其为利用西门子法的多晶硅的制造方法，其特征在于，
使用权利要求1所述的反应炉，
向所述倒U字型硅芯线供电50Hz～10000KHz的高频电流，在所述多晶硅棒达到预定直径为止将芯附近100mmφ以内的温度控制为1400℃以下。
5.通过权利要求4所述的方法制造的多晶硅棒或者将该多晶硅棒粉碎而得到的多晶硅块。
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