[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

倒置型半导体元件，包括：

具有第一导电类型或第二导电类型的半导体衬底(1)；

第一导电类型层(2)，

所述第一导电类型层形成于所述半导体衬底上，并且

所述第一导电类型层由具有所述第一导电类型和低于所述半导体衬底的杂质浓度的杂质浓度的半导体制成；

电场阻挡层(4)，

所述电场阻挡层形成于所述第一导电类型层上，并且

所述电场阻挡层由具有所述第二导电类型且在从所述半导体衬底的法向观察所述电场阻挡层时包括至少线性形状部分的半导体制成；

JFET部分(3)，

所述JFET部分形成于所述第一导电类型层上，并且

所述JFET部分由具有所述第一导电类型且在从所述半导体衬底的所述法向观察所述JFET部分时具有被所述电场阻挡层夹置的线性形状部分的半导体制成；

电流分散层(5)，

所述电流分散层形成于所述电场阻挡层和所述JFET部分上，并且

所述电流分散层由具有所述第一导电类型和高于所述第一导电类型层的杂质浓度的杂质浓度的半导体制成；

深层(7)，

所述深层具有所述第二导电类型，

所述深层与所述电流分散层一起形成于所述电场阻挡层和所述JFET部分上；

基区(6)，

所述基区形成于所述电流分散层和所述深层上，并且

所述基区由具有所述第二导电类型的半导体制成；

源区(8)，

所述源区形成于所述基区上，并且

所述源区由具有所述第一导电类型和高于所述第一导电类型层的第一导电类型杂质浓度的第一导电类型杂质浓度的半导体制成；

多个沟槽栅极结构，

所述多个沟槽栅极结构包括距所述源区的表面比所述基区形成得更深的栅极沟槽(11)、覆盖所述栅极沟槽的内壁的栅极绝缘膜(12)、以及置于所述栅极绝缘膜上的栅电极(13)，并且

所述多个沟槽栅极结构被布置成条形形状，其中，一个方向对应于所述多个沟槽栅极结构的纵向方向；

层间绝缘膜(14)，

所述层间绝缘膜覆盖所述栅电极和所述栅极绝缘膜，并且

所述层间绝缘膜包括接触孔；

源电极(15)，所述源电极通过所述接触孔与所述源区欧姆接触；以及

漏电极(16)，所述漏电极形成于所述半导体衬底的背表面侧上，

其中，

所述电流分散层的数值数量低于所述多个沟槽栅极结构的数值数量，并且

所述多个沟槽栅极结构的底部的至少一部分被所述深层覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述电流分散层的纵向方向和所述深层的纵向方向两者都对应于类似于所述多个沟槽栅极结构的纵向方向的方向，

所述多个沟槽栅极结构的一部分与所述电流分散层连接，并且

所述多个沟槽栅极结构的剩余部分的底部的整个区域被所述深层覆盖。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述电流分散层的形成间距大于所述多个沟槽栅极结构中的每一个的形成间距，并且

所述电流分散层的数值数量与所述多个沟槽栅极结构的数值数量之比被设置为一比二或更大的比例。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述多个沟槽栅极结构包括第一沟槽栅极结构和第二沟槽栅极结构，

所述源区形成于与所述电流分散层连接的所述第一沟槽栅极结构的侧表面上，

所述源区未形成于所述第二沟槽栅极结构的侧表面上，并且

所述第二沟槽栅极结构的底部的整个区域被所述深层覆盖。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述多个沟槽栅极结构包括第一沟槽栅极结构和第二沟槽栅极结构，

所述源区形成于与所述电流分散层连接的所述第一沟槽栅极结构的侧表面上，

所述源区未形成于所述第二沟槽栅极结构的侧表面上，并且

所述第二沟槽栅极结构的底部的整个区域被所述深层覆盖。