[发明专利]一种基于反射型移相器的互补型可重构功分器

权利要求书

1.一种基于反射型移相器的互补型可重构功分器，其特征在于：包括金属接地板(5)和介质基板(6)，所述介质基板设置在金属接地板上，还包括设置在介质基板上的第一3dB反射型移相器(1)、第二3dB反射型移相器(2)、第一级联传输线(3)和第二级联传输线(4)；所述第一3dB反射型移相器包括第一正交功分器、第一T型移相器和第二T型移相器，所述第一3dB反射型移相器分别与第一级联传输线、第二级联传输线连接，所述第二3dB反射型移相器包括第二正交功分器和第三T型移相器和第四T型移相器，所述第二3dB反射型移相器分别与第一级联传输线和第二级联传输线连接；

其中第一正交功分器包括第一微带线(11)、第二微带线(12)、第三微带线(13)和第四微带线(14)，第一微带线的两端分别与第三微带线的上端、第四微带线的上端连接，第二微带线的两端分别与第三微带线的下端、第四微带线的下端连接，第一微带线的右端还与射频信号输出端口微带线P4的下端连接，第二微带线的右端还与射频信号输出端口微带线P3的上端连接，第一微带线的左端和右端分别还与第一T型移相器和第一级联传输线(3)连接，第二微带线的左端和右端分别还与第二T型移相器和第二级联传输线(4)连接；其中第一T型移相器包括第五微带线(15)、第六微带线(16)、第一变容二极管(D1)，所述第一变容二极管的正极分别与第五微带线的左端、第六微带线的右端连接，第五微带线的右端与第一微带线左端连接，第六微带线左端开路；所述第二T型移相器包括第七微带线(17)、第八微带线(18)、第二变容二极管(D2)，其中第二变容二极管的正极分别与第七微带线的左端、第八微带线的右端连接，第七微带线的右端与第二微带线左端连接，第八微带线左端开路；

所述第二正交功分器包括第十一微带线(21)、第十二微带线(22)、第十三微带线(23)和第十四微带线(24)，第十一微带线的两端分别与第十三微带线的上端、第十四微带线的上端连接，第十二微带线的两端分别与第十三微带线的下端、第十四微带线的下端连接，第十一微带线的左端还与射频信号输入端口微带线P1的下端连接，第十二微带线的左端还与射频信号输出端口微带线P2的上端连接，第十一微带线的右端和左端分别还与第三T型移相器和第一级联传输线(3)连接，第十二微带线的右端和左端分别还与第四T型移相器和第二级联传输线(4)连接；所述第三T型移相器包括第十五微带线(25)、第十六微带线(26)、第三变容二极管(D3)，其中第三变容二极管的正极分别与第十五微带线的右端、第十六微带线的左端连接，第十五微带线的左端与第十一微带线右端连接，第十六微带线右端开路；所述第四T型移相器包括第十七微带线(27)、第十八微带线(28)、第四变容二极管(D4)，其中第四变容二极管的正极分别与第十七微带线的右端、第十八微带线的左端连接，第十七微带线的左端与第十二微带线右端连接，第十八微带线右端开路；

所述变容二极管D1、D2的两端分别施加反向直流偏置电压V1；

在所述变容二极管D3、D4的两端分别施加反向直流偏置电压V2；

所述变容二极管的反向直流偏置电压V1、V2应满足：V1+V2＝12V；

其中：V1、V2的最大电压Vmax＝12V，最小电压Vmin＝0V。

2.根据权利要求1所述的一种基于反射型移相器的互补型可重构功分器，其特征在于，所述第一级联传输线(3)包括第九微带线，其中第九微带线的左端分别与第一3dB反射型移相器的第一微带线、射频信号输出端口微带线P4相连，第九微带线的右端分别与第二3dB反射型移相器中的第十一微带线、射频信号输入端口微带线P1相连。

3.根据权利要求2所述的一种基于反射型移相器的互补型可重构功分器，其特征在于，所述第二级联传输线(4)包括第十微带线，其中第十微带线的左端分别与第一3dB反射型移相器的第二微带线、射频信号输出端口微带线P3相连，第十微带线的右端分别与第二3dB反射型移相器中的第十二微带线、射频信号输出端口微带线P2相连。

4.根据权利要求3所述的一种基于反射型移相器的互补型可重构功分器，其特征在于，所述射频信号输入端口微带线P1、射频信号输出端口微带线P2、射频信号输出端口微带线P3、射频信号输出端口微带线P4的特征阻抗为物理长度为λ/4；

所述第一微带线(11)、第二微带线(12)、第十一微带线(21)和第十二微带线(22)特征阻抗为物理长度为λ/4；

所述第三微带线(13)、第四微带线(14)、第十三微带线(23)、第十四微带线(24)的特征阻抗为Z0，物理长度λ/4；

所述第五微带线(15)、第六微带线(16)、第七微带线(17)、第八微带线(18)、第十五微带线(25)、第十六微带线(26)、第十七微带线(27)、第十八微带线(28)的特征阻抗为3*Z0，物理长度λ/24。