[发明专利]一种封装基板制造工艺

说明书

本发明公开了一种封装基板制造工艺，包括：将第一导电片和绝缘件以导电凸起与凹腔相对的方式进行层叠压合，使导电凸起收容于凹腔中，将第二导电基片层叠压合于绝缘件远离第一导电片的一侧，制得母材；在母材上制作穿孔；对母材进行加工以除去导电凸起和第一导电基片与导电凸起正对的部位，形成供芯片安装的收容腔；对第一导电基片进行加工形成焊盘，对第二导电基片进行加工形成线路，在穿孔中电镀导电材料形成用于连接焊盘和线路的导通孔，制得封装基板半成品；对封装基板半成品进行切割，制得封装基板。本发明的封装基板制造工艺制得的封装基板自带收容腔，可以缩短流程，降低成本，而且降低了加工难度，从而提高产品精度和良品率。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种封装基板制造工艺。

背景技术

目前，为了使电子器件具有更稳定、更卓越的信号传输和接收性能，需要将芯片封装在一个单独的空腔内。传统的实现方式是将芯片贴装于封装基板后再增加一个收容腔支架，该实现方式不仅流程复杂，而且在装配过程中精度要求高，产品良率和产品成本均较难管控。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种封装基板制造工艺，用以解决现有封装基板制造工艺流程复杂，装配过程中精度要求高，产品良率和产品成本均较难管控的问题。

本发明的目的采用如下技术方案实现：

一种封装基板制造工艺，用于制造供芯片封装的封装基板，所述封装基板制造工艺包括：

提供第一导电片、绝缘件及第二导电基片，所述第一导电片包括第一导电基片和位于所述第一导电基片一侧的导电凸起，所述绝缘件的一侧凹设有凹腔，将所述第一导电片和所述绝缘件以所述导电凸起与所述凹腔相对的方式进行层叠压合，并使所述导电凸起收容于所述凹腔中，将所述第二导电基片层叠压合于所述绝缘件远离所述第一导电片的一侧，制得母材；

在所述母材上制作穿孔，所述穿孔依次贯穿所述第一导电基片、所述绝缘件以及所述第二导电基片；

对所述母材进行加工以除去所述导电凸起和所述第一导电基片与所述导电凸起正对的部位，以形成用于供芯片安装的收容腔；

对所述第一导电基片进行加工以形成焊盘，对所述第二导电基片进行加工以形成线路，在所述穿孔中电镀导电材料以形成用于连接所述焊盘和所述线路的导通孔，制得封装基板半成品；

对所述封装基板半成品进行切割，制得封装基板。

进一步地，除去所述导电凸起和所述第一导电基片与所述导电凸起正对的部位包括以下步骤：

在所述第一导电基片远离所述导电凸起的一侧和所述第二导电片远离所述绝缘件的一侧贴设第一感光膜，对应所述导电凸起的位置对贴设于所述第一导电基片的所述第一感光膜进行曝光显影以形成蚀刻孔；

通过所述蚀刻孔对所述母材进行蚀刻，除去所述导电凸起和所述第一导电基片与所述导电凸起正对的部位，以得到所述收容腔，除去所述第一感光膜。

进一步地，所述第一导电片由以下工序制作成型：

提供具有上表面和下表面的所述第一导电基片，在所述上表面和所述下表面上贴设第二感光膜，对贴设于所述下表面的所述第二感光膜进行曝光显影以形成第一电镀避让区域；

在所述第一电镀避让区域内电镀铜层，电镀铜层之后，除去所述第二感光膜，制得所述第一导电片，其中，所述铜层形成所述导电凸起，且所述铜层的厚度与所述第二感光膜的厚度相同。

进一步地，所述第一导电基片为铜片；且/或，

所述第二导电基片为铜片。

进一步地，所述绝缘件为半固化片，所述半固化片的厚度为50μm-200μm。