[发明专利]薄膜制备方法

说明书

本发明提供一种薄膜制备方法，其包括：第一沉积步，向工艺腔室中通入工艺气体，并向靶材加载射频功率，以在衬底上沉积薄膜阻挡层，其中，第一沉积步包括至少两个阻挡层沉积时段，每一阻挡层沉积时段采用的射频功率均大于上一阻挡层沉积时段采用的射频功率；第二沉积步，继续向工艺腔室中通入所述工艺气体，并向靶材加载直流功率，以在薄膜阻挡层上沉积薄膜主体层，其中，第二沉积步包括至少两个主体层沉积时段，每一主体层沉积时段采用的直流功率均大于上一主体层沉积时段采用的直流功率。本发明提供的薄膜制备方法，其可以在减少对底部衬底材料或者阻挡层造成的损伤的基础上，提高产能。

技术领域

本发明涉及薄膜制备技术领域，具体地，涉及一种薄膜制备方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)因其具有节能低耗、安全环保、亮度高、寿命长等的优点，被广泛应用于各种照明、指示、装饰、背光等领域。在LED芯片加工制程中，通常在发光介质(GaN)和金属电极之间镀一层透明导电薄膜——铟锡氧化物(简称ITO)，该ITO薄膜作为LED芯片结构中发光介质和金属电极之间的连接层，其微观组织结构和性能会直接影响整个芯片的出光效率，因此，制备具有高可见光透过性的ITO薄膜，是LED芯片制程中重要的一环任务。

目前，磁控溅射是LED芯片加工中制备ITO透明导电层的主流方法。相比于传统的电子束蒸发技术(E-beam Evaporation)，磁控溅射方法制备的ITO薄膜具有更高的致密性，更高的折射率以及更高的出光效率。现有的磁控溅射方法分为两步，第一步使用较低的溅射功率沉积一层较薄的ITO阻挡层，用以减小后续溅射过程中高能量粒子对底部发光材料的轰击损伤；第二步使用较高的溅射功率沉积ITO主体层，起到电流扩展作用。

但是，传统的磁控溅射方法中，上述第一步和第二步均采用一步溅射法，在这种情况下，上述第一步和第二步采用的溅射功率不能太高，否则仍然存在对底部发光材料或者阻挡层造成损伤的问题，但是，溅射功率低又会导致ITO薄膜的沉积速率较慢，从而造成机台产能降低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜制备方法，其可以在减少对底部衬底材料或者阻挡层造成的损伤的基础上，提高产能。

为实现上述目的，本发明提供了一种薄膜制备方法，包括：

第一沉积步，向工艺腔室中通入工艺气体，并向靶材加载射频功率，以在衬底上沉积薄膜阻挡层，其中，所述第一沉积步包括至少两个阻挡层沉积时段，每一所述阻挡层沉积时段采用的射频功率均大于上一所述阻挡层沉积时段采用的射频功率；

第二沉积步，继续向所述工艺腔室中通入所述工艺气体，并向所述靶材加载直流功率，以在所述薄膜阻挡层上沉积薄膜主体层，其中，所述第二沉积步包括至少两个主体层沉积时段，每一所述主体层沉积时段采用的直流功率均大于上一所述主体层沉积时段采用的直流功率。

可选的，还包括：

调节所述第二沉积步采用的靶基间距和所述工艺气体的流量，以增大薄膜的晶粒尺寸。

可选的，所述第二沉积步采用的靶基间距的取值范围为80mm-110mm。

可选的，所述第二沉积步采用的所述工艺气体的流量的取值范围为20sccm-50sccm。

可选的，在所述第二沉积步中，在向所述靶材加载直流功率的同时，向所述靶材加载射频功率。

可选的，所述第二沉积步采用的射频功率为150W-300W。

可选的，所述第一沉积步包括三个所述阻挡层沉积时段，第一个所述阻挡层沉积时段采用的射频功率为100W；第二个所述阻挡层沉积时段采用的射频功率为200W；第三个所述阻挡层沉积时段采用的射频功率为300W。