[发明专利]内存装置及其数据读取方法在审
申请号: | 202010047352.8 | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN113129993A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 何文乔 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G06F11/10 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内存 装置 及其 数据 读取 方法 | ||
1.一种数据读取方法,适于读取内存的数据,所述方法包括下列步骤:
读取所述内存中的多个存储单元以获得读取数据,其中包括检测各所述存储单元的阈值电压,并将所检测的所述阈值电压分别与第一基准电压及第二基准电压比较以决定位值,其中所述第一基准电压与所述第二基准电压用以区别所述存储单元的不同状态,且所述第二基准电压大于所述第一基准电压;
逐步变更所述读取数据中所述阈值电压位于所述第一基准电压与所述第二基准电压之间的所述存储单元的位值,以计算变更后读取数据的校正子;以及
根据所述校正子的数值校正所述读取数据。
2.根据权利要求1所述的方法,其中将所检测的所述阈值电压分别与第一基准电压及第二基准电压比较以决定位值的步骤包括:
将所检测的所述阈值电压与所述第一基准电压比较以决定所述存储单元的第一位值;
将所检测的所述阈值电压与所述第二基准电压比较以决定所述存储单元的第二位值;
若所述第一位值等于所述第二位值,确定所述存储单元的位值为所述第一位值或所述第二位值;以及
若所述第一位值不等于所述第二位值,设定所述存储单元为推测位。
3.根据权利要求2所述的方法,其中逐步变更所述读取数据中所述阈值电压位于所述第一基准电压与所述第二基准电压之间的所述存储单元的位值,以计算变更后读取数据的校正子的步骤包括:
逐步变更所述读取数据中的所述推测位的位值为多个逻辑组合其中之一,以计算每次变更后的所述变更后读取数据的校正子。
4.根据权利要求1所述的方法,其中计算变更后读取数据的校正子的步骤包括:
使用所述变更后读取数据中的数据位计算新的奇偶检验位,并与所述变更后读取数据中的奇偶检验位比较,以计算所述变更后读取数据的校正子。
5.根据权利要求1所述的方法,其中根据所述校正子的数值校正所述读取数据的步骤包括:
判断所计算的所述校正子的数值是否均为零;以及
当所计算的所述校正子的数值均为零时,使用对应的所述变更读取数据中所变更的所述存储单元的位值来校正所述读取数据。
6.一种内存装置,包括:
内存,包括多个存储单元;以及
处理器,耦接至所述内存中的所述存储单元,经配置以:
读取所述存储单元以获得读取数据,其中包括检测各所述存储单元的阈值电压,并将所检测的所述阈值电压分别与第一基准电压及第二基准电压比较以决定位值,其中所述第一基准电压与所述第二基准电压用以区别所述存储单元的不同状态,且所述第二基准电压大于所述第一基准电压;
逐步变更所述读取数据中所述阈值电压位于所述第一基准电压与所述第二基准电压之间的所述存储单元的位值,以计算变更后读取数据的校正子;以及
根据所述校正子的数值校正所述读取数据。
7.根据权利要求6所述的内存装置,其中所述处理器经配置以:
将所检测的所述阈值电压与所述第一基准电压比较以决定所述存储单元的第一位值;
将所检测的所述阈值电压与所述第二基准电压比较以决定所述存储单元的第二位值;
若所述第一位值等于所述第二位值,确定所述存储单元的位值为所述第一位值或所述第二位值;以及
若所述第一位值不等于所述第二位值,设定所述存储单元为推测位。
8.根据权利要求7所述的内存装置,其中所述处理器经配置以逐步变更所述读取数据中的所述推测位的位值为多个逻辑组合其中之一,以计算每次变更后的所述变更后读取数据的校正子。
9.根据权利要求6所述的内存装置,其中所述处理器经配置以使用所述变更后读取数据中的数据位计算新的奇偶检验位,并与所述变更后读取数据中的奇偶检验位比较,以计算所述变更后读取数据的校正子。
10.根据权利要求6所述的内存装置,其中所述处理器经配置以判断所计算的所述校正子的数值是否均为零,并在所计算的所述校正子的数值均为零时,使用对应的所述变更读取数据中所变更的所述存储单元的位值来校正所述读取数据。
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