[发明专利]用于在间隙填充中沉积和蚀刻的装置和方法

权利要求书

1.一种用于执行沉积和蚀刻工艺的集成装置，所述装置包括：

处理室，其中所述处理室包括喷头和基座；

一个或多个射频(RF)发生器；以及

一个或多个滤波器，其能操作地耦合到所述一个或多个射频发生器，其中，所述集成装置被配置为在以下模式之间切换：(1)用于执行沉积工艺的沉积模式，其中在所述沉积模式下所述一个或多个滤波器选择性地阻止来自所述喷头的低频信号，并选择性地将高频信号传递给所述喷头，和(2)用于执行蚀刻工艺的蚀刻模式，其中在所述蚀刻模式下所述一个或多个滤波器选择性地将高频信号和低频信号传递到所述基座并将所述喷头接地。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述处理室是电容耦合等离子体(CCP)反应器，并且其中所述喷头包括上电极，所述基座包括下电极。

3.根据权利要求1所述的装置，还包括：

一个或多个开关，所述一个或多个开关能操作地耦合到所述一个或多个射频发生器。

4.根据权利要求3所述的装置，其中在所述沉积模式下的所述一个或多个开关将所述一个或多个射频发生器耦合至所述喷头。

5.根据权利要求3所述的装置，其中，在所述蚀刻模式下的所述一个或多个开关将所述一个或多个射频发生器耦合至所述基座并将所述喷头接地。

6.根据权利要求3所述的装置，其中所述一个或多个射频发生器包括高频射频发生器和低频射频发生器。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述一个或多个开关包括：

第一站继电器开关，其被配置为在沉积模式下将所述低频射频发生器和所述高频射频发生器电连接到所述喷头；以及

第二站继电器开关，其被配置为在所述蚀刻模式下将所述低频射频发生器和所述高频射频发生器电连接到所述基座。

8.一种用于执行沉积和蚀刻工艺的集成装置，所述装置包括：

处理室，其中所述处理室包括喷头和基座；

一个或多个射频发生器；以及

系统控制器，其可操作地耦合到所述一个或多个射频发生器，其中所述系统控制器被配置有用于执行以下操作的指令：

在沉积模式下将所述一个或多个射频发生器耦合到至少所述喷头；和

在蚀刻模式下将所述一个或多个射频发生器耦合到至少所述基座。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述系统控制器还被配置有用于执行以下操作的指令：

在所述处理室中的所述基座上提供晶片，其中所述晶片包括第一介电层；

当所述一个或多个射频发生器在所述蚀刻模式下耦合到至少所述基座时，在所述处理室中各向异性地蚀刻所述第一介电层；和

当所述一个或多个射频发生器在所述沉积模式下耦合到至少所述喷头时，在所述处理室中通过ALD将第二介电层沉积在所述第一介电层上。

10.根据权利要求8所述的装置，其中所述处理室是电容耦合等离子体(CCP)反应器，并且其中所述喷头包括上电极，所述基座包括下电极。

11.根据权利要求8所述的装置，还包括：

一个或多个滤波器，其能操作地耦合到所述一个或多个射频发生器，其中，所述集成装置被配置为在以下模式之间切换：(1)用于执行沉积工艺的沉积模式，其中在所述沉积模式下所述一个或多个滤波器选择性地阻止来自所述喷头的低频信号，并选择性地将高频信号传递给所述喷头，和(2)用于执行蚀刻工艺的蚀刻模式，其中在所述蚀刻模式下所述一个或多个滤波器将高频信号和低频信号传递到所述基座并将所述喷头接地。

12.根据权利要求8所述的装置，其中所述一个或多个射频发生器包括高频射频发生器和低频射频发生器。