[发明专利]一种基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法在审
| 申请号: | 202010046706.7 | 申请日: | 2020-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN111540668A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
| 发明(设计)人: | 汪宁;黄森;王鑫华;王大海 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 纪志超 |
| 地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 石英玻璃 外延 gan 工艺 改进 方法 | ||
1.一种基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法,其特征在于,所述工艺改进方法包括:
提供一以石英玻璃为衬底生长GaN外延结构的晶圆片结构;
将所述晶圆片结构的正面键合在蓝宝石托盘上;
将所述蓝宝石托盘安装在减薄设备上,对所述石英玻璃采用不同材料的浆液和磨盘进行多次减薄处理,以使所述晶圆片结构的厚度小于预设阈值;
对多次减薄处理后的石英玻璃进行抛光处理,以使表面粗糙度小于预设阈值;
在所述石英玻璃的背面形成散热金属层;
去除所述蓝宝石托盘。
2.根据权利要求1所述的工艺改进方法,其特征在于,所述将所述晶圆片结构的正面键合在蓝宝石托盘上,包括:
采用旋涂工艺,在蓝宝石托盘上涂覆20μm厚的HT1010涂层;
在1mm厚的晶圆片结构的正面电路上均匀涂覆厚度为3μm-5μm的AZ4620光刻胶;
在温度180℃和压力0.6Bar的情况下,将所述晶圆片结构的正面键合在所述蓝宝石托盘上。
3.根据权利要求1所述的工艺改进方法,其特征在于,所述将所述蓝宝石托盘安装在减薄设备上,对所述石英玻璃采用不同材料的浆液和磨盘进行多次减薄处理,以使所述晶圆片结构的厚度小于预设阈值,包括:
采用第一种人造钻石浆液和Cu磨盘,对所述石英玻璃进行第一次减薄处理,以使1mm厚的晶圆片结构的厚度减小至<220μm,厚度均匀性TTV至±5μm。
4.根据权利要求3所述的工艺改进方法,其特征在于,所述第一种人造钻石浆液的主要成分包括:
多晶型立方氮化硼,多晶型颗粒直径为15μm,浆液添加剂为聚乙二醇和硅酸乙酯混合物,浆液溶剂为DI水,三者质量比为10:50:500~10:60:400,浆液PH值为6~7;
所述Cu磨盘为具有渐开线条纹凹槽的磨盘。
5.根据权利要求3所述的工艺改进方法,其特征在于,所述将所述蓝宝石托盘安装在减薄设备上,对所述石英玻璃采用不同材料的浆液和磨盘进行多次减薄处理,以使所述晶圆片结构的厚度小于预设阈值,包括:
采用第二种人造钻石浆液和Cu及Sn合金磨盘,对所述石英玻璃进行第二次减薄处理,以使1mm厚的晶圆片结构的厚度减小至<150μm,厚度均匀性TTV至±2μm。
6.根据权利要求5所述的工艺改进方法,其特征在于,所述第二种人造钻石浆液的主要成分包括:
多晶型立方氮化硼,多晶型颗粒直径为3μm,浆液添加剂为聚乙二醇和硅酸乙酯混合物,浆液溶剂为DI水,三者质量比为10:50:500~10:60:400,浆液PH值为6~7;
所述Cu及Sn合金磨盘为具有渐开线条纹凹槽的磨盘,其中,Cu:Sn=1:1。
7.根据权利要求5所述的工艺改进方法,其特征在于,所述将所述蓝宝石托盘安装在减薄设备上,对所述石英玻璃采用不同材料的浆液和磨盘进行多次减薄处理,以使所述晶圆片结构的厚度小于预设阈值,包括:
采用刚玉浆液和玻璃磨盘,对所述石英玻璃进行第三次减薄处理,以使1mm厚的晶圆片结构的厚度减小至<70μm,厚度均匀性TTV至±1μm。
8.根据权利要求7所述的工艺改进方法,其特征在于,所述刚玉浆液的主要成分包括:
刚玉颗粒,颗粒直径为1μm,浆液添加剂为聚乙二醇和乙酸乙酯混合物,浆液溶剂为DI水,三者质量比为10:20:500~10:30:400,浆液PH值为7-8;
所述玻璃磨盘为具有放射状条纹凹槽的磨盘。
9.根据权利要求1所述的工艺改进方法,其特征在于,所述对多次减薄处理后的石英玻璃进行抛光处理,以使表面粗糙度小于预设阈值,包括:
采用纳米级抛光浆液,结合聚酯纤维抛光布,将晶圆片结构抛光至镜面效果,其厚度均匀性TTV为±0.5μm,表面粗糙度Ra小于1nm。
10.根据权利要求9所述的工艺改进方法,其特征在于,所述纳米级抛光浆液的主要成分包括:
纳米Al2O3颗粒,颗粒直径为50nm,添加剂为次氯酸盐和硅酸盐,浆液溶剂为DI水,抛光液PH值为7-9。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





