[发明专利]一种增强二维材料的偶数阶高次谐波的方法

权利要求书

1.一种增强二维材料的偶数阶高次谐波的方法，其特征在于，包括：

1)制备二维材料，并测定二维材料的二次谐波光谱或四次谐波光谱；

2)在二维材料上涂覆量子点薄膜；所述量子点为壳芯结构量子点，其中，芯的材料为CdSe、CdS、CdTe或CdZnSe；壳的材料为ZnSe、ZnS或ZnTe；所述量子点薄膜的厚度为50nm—300nm；

3)选择量子点的双光子吸收波长与激光器的发光波长共振；实现二维材料的偶数阶高次谐波的增强。

2.如权利要求1所述的增强二维材料的偶数阶高次谐波的方法，其特征在于，步骤1)所述二维材料包括二硫化钼、二硫化钨、氮化硼和DANS分子膜中的其中一种或几种。

3.如权利要求1所述的增强二维材料的偶数阶高次谐波的方法，其特征在于，步骤1)所述二维材料包括单原子层或多原子层。

4.如权利要求1所述的增强二维材料的偶数阶高次谐波的方法，其特征在于，步骤2)中所述涂覆量子点的工艺具体为，利用旋涂仪器，旋涂量子点溶液，首先每秒500转速进行预转，然后立刻用每秒1500转至每秒5000转旋涂。

5.如权利要求4所述的增强二维材料的偶数阶高次谐波的方法，其特征在于，所述量子点溶液的溶质为CdSe/ZnS壳芯结构量子点。

6.如权利要求5所述的增强二维材料的偶数阶高次谐波的方法，其特征在于，所述量子点溶液的溶剂为甲苯、氯仿或者正己烷。