[发明专利]一种低介低损耗高导热的微波介质陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 202010045494.0 | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN113121219B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 谭震宇;林慧兴;党明召;张奕;谢天翼;姚晓刚;何飞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/443 | 分类号: | C04B35/443;C04B35/04;C04B35/622 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低介低 损耗 导热 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种低介低损耗高导热的微波介质陶瓷,其特征在于,所述微波介质陶瓷的化学通式为MgAl2O4-xMgO+y wt%M,M为Nb2O5、AlCl3、MgCl2或者煅烧后为MgO或Al2O3的盐类中的至少一种;其中x为MgO与MgAl2O4的摩尔比,M 的质量是MgAl2O4与MgO质量之和的y wt%,且0.5≤x≤1,0.3≤y≤0.8。
2.根据权利要求1所述的低介低损耗高导热的微波介质陶瓷,其特征在于,所述微波介质陶瓷的密度为3.48~3.51g/cm3。
3.根据权利要求1或2所述的低介低损耗高导热的微波介质陶瓷,其特征在于,所述微波介质陶瓷的导热系数为16~18 W/(m· K),介电常数为8.0~8.6,品质因数为180000~220000GHz。
4.制备权利要求1~3中任一项所述的低介低损耗高导热的微波介质陶瓷的方法,其特征在于,包括:
以活性镁和活性铝为原料,按照MgAl2O4-xMgO的化学计量组成称料,球磨烘干,于1150~1350℃预烧4~8小时,得到预烧粉体;
向预烧粉体里加入M,球磨烘干,再加入粘结剂,经造粒和成型后,得到胚体;
将胚体在1500~1680℃烧结4~8小时,得到所述微波介质陶瓷。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述活性镁为碱式碳酸镁、氢氧化镁、硝酸镁中至少一种,所述活性铝为氢氧化铝、硝酸铝中至少一种。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述粘结剂为质量分数2~5wt%的高分子材料溶液。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述高分子材料为聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛和羧甲基纤维素中的至少一种。
8.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述粘结剂的用量为预烧粉体质量的2~3wt%。
9.根据权利要求4~8中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述烧结气氛为空气。
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