[发明专利]一种光波导及其制作方法在审
| 申请号： | 202010044717.1 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111208606A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 唐波;张鹏;李志华;李彬;刘若男 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/132 | 分类号： | G02B6/132;G02B6/136;G02B6/138;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 波导 及其 制作方法 | ||
1.一种光波导的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上表面形成第一下包层；
在所述衬底下表面形成第二下包层；
在所述第一下包层上表面形成波导结构；
在所述第一下包层上表面和所述波导结构上形成第一上包层；
在所述第二下包层下表面形成第三下包层；
在所述第一上包层上表面形成第二上包层；
在所述第三下包层下表面形成第四下包层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一下包层的厚度与所述第二下包层的厚度相等。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一下包层与所述第二下包层均为二氧化硅层，所述第一下包层的厚度与所述第二下包层的厚度均为1μm～20μm。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一下包层上表面形成波导结构，具体包括：
在所述第一下包层上表面形成芯层；
对所述芯层进行刻蚀，形成所述波导结构。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯层具体为Si3N4层，所述芯层的厚度为100nm～2μm。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一下包层上表面和所述波导结构上形成第一上包层，具体包括：
采用高温氧化气相沉积工艺在所述第一下包层上表面和所述波导结构上形成所述第一上包层；
所述在所述第二下包层下表面形成第三下包层，具体包括：
采用高温氧化气相沉积工艺在所述第二下包层下表面形成所述第三下包层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一上包层的厚度和所述第三下包层的厚度相等。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一上包层和所述第三下包层均为二氧化硅层，所述第一上包层的厚度和所述第三下包层的厚度均为400nm～4μm。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二上包层的厚度与所述第四下包层的厚度相等。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二上包层与所述第四下包层均为所述二氧化硅层，所述第二上包层的厚度与所述第四下包层的厚度均为1μm～20μm。
11.一种光波导，其特征在于，包括：
衬底；
第一下包层，位于所述衬底上表面；
第二下包层，位于所述衬底下表面；
波导结构，位于所述第一下包层上表面；
第一上包层，位于所述第一下包层上表面和所述波导结构上；
第三下包层，位于所述第二下包层下表面；
第二上包层，位于所述第一上包层上表面；
第四下包层，位于所述第三下包层下表面。
12.如权利要求11所述的光波导，其特征在于，所述第一下包层的厚度与所述第二下包层的厚度相等。
13.如权利要求11所述的光波导，其特征在于，所述第一下包层与所述第二下包层均为二氧化硅层，所述第一下包层的厚度与所述第二下包层的厚度均为1μm～20μm。
14.如权利要求11所述的光波导，其特征在于，所述第一上包层的厚度与所述第三下包层的厚度。
15.如权利要求11所述的光波导，其特征在于，所述第一上包层与所述第三下包层均为二氧化硅层，所述第一上包层的厚度与所述第三下包层的厚度均为400nm～4μm。
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