[发明专利]一种辐射屏蔽复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种辐射屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于所述制备方法的步骤是：

步骤一、将气孔率为54.0～94.2vol％和常温耐压强度为304.8～456.2MPa的硼酸铝多孔陶瓷切割成能置于氮化硼坩埚中的块状，得到硼酸铝多孔陶瓷块；

步骤二、将32.0～40.0wt％的氧化硼、28.0～37.0wt％的氧化铋、1.0～5.0wt％的氧化磷、4.0～9.0wt％的氧化硅、3.0～8.0wt％的氧化铅、2.0～7.0wt％的氧化钡、4.0～8.0wt％的氧化锂和2.0～5.0wt％的稀土金属氧化物混合，即得混合料；将所述混合料于1400℃～1600℃条件下熔融，然后将熔融的玻璃熔液进行水淬，破碎至粒径小于0.147mm，得到含辐射屏蔽成分的玻璃屏蔽剂；

步骤三、将所述硼酸铝多孔陶瓷块置于氮化硼坩埚中，用所述含辐射屏蔽成分的玻璃屏蔽剂包埋硼酸铝多孔陶瓷块；将所述氮化硼坩埚置于真空炉中，抽真空至1.33×10^-2Pa以下，升温至1000～1300℃，保温30～90分钟；然后在常压条件下依次以15～20℃/min速率降温至600～800℃和以5～10℃/min速率降温至200～500℃，保温60～180分钟；冷却，切削和抛光处理，制得辐射屏蔽复合材料。

2.根据权利要求1所述辐射屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于所述氧化硼为分析纯。

3.根据权利要求1所述辐射屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于所述氧化铋为分析纯。

4.根据权利要求1所述辐射屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于所述氧化磷为分析纯。

5.根据权利要求1所述辐射屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于所述氧化硅为分析纯。

6.根据权利要求1所述辐射屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于所述氧化铅为分析纯。

7.根据权利要求1所述辐射屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于所述氧化钡为分析纯。

8.根据权利要求1所述辐射屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于所述氧化锂为分析纯。

9.根据权利要求1所述辐射屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于所述稀土金属氧化物为分析纯。

10.一种辐射屏蔽复合材料，其特征在于所述辐射屏蔽复合材料是根据权利要求1～9项中任一项所述的辐射屏蔽复合材料的制备方法所制备的辐射屏蔽复合材料。