[发明专利]附载体铜箔及铜箔基板

说明书

一种附载体铜箔，包括载体层以及设置于载体层上的超薄铜层，其中超薄铜层包括面向载体层的剥离面。当载体层被剥离于超薄铜层后，剥离面的实体体积(Vm)为0.09至0.27μm³/μm²，且剥离面的镍残留量不大于60μg/dm²。

【技术领域】

本揭露关于一种电沉积铜箔的技术领域，特别是关于一种附载体的电沉积铜箔及其铜箔基板。

【背景技术】

随着电子产品逐渐朝向轻薄以及传输高频讯号的趋势发展，对于铜箔和铜箔基板的需求也日益提升。一般而言，铜箔基板的导电线路由铜导线所构成，由于导电线路具有特定的布局设计，因此其可将电讯号沿着预定的路径传递至预定区域。此外，随着导电线路的线宽(line)/线间距(space)持续微小化，铜箔基板上的铜层的厚度通常会予以薄化，例如厚度薄于9μm，以满足微小化的线宽/线间距的需求。然而，当铜箔厚度过薄，如低于5μm时，其机械强度通常不足，用于制造铜箔基板时常有破损的问题发生，故难以符合需求。而为了解决前述问题，现今已开发出附载体铜箔，其是透过载体层来补强过薄的铜箔的强度，以符合铜箔基板制造上的需要。

对于采用附载体铜箔的铜箔基板以制作导电线路的流程，其通常包括下述步骤：首先将附载体铜箔的铜层压合至绝缘载板。后续将附载体铜箔中的载体层剥离，以暴露出铜层的表面，而制得包括绝缘载板和铜层的铜箔基板。继以在铜箔基板的铜层的暴露面上设置光阻层，之后透过曝光、显影制程，使得光阻层被图案化，而形成图案化光阻层。继以施行蚀刻制程，以将图案化光阻层的图案转移至铜层，以图案化铜层。最后移除图案化光阻层。藉由上述制程，便可制得具有导电线路图案的铜箔基板。

然而，对于上述具有导电线路的铜箔基板，其仍存有诸多尚待克服的技术上的缺失。举例而言，由于铜层的暴露面和图案化光阻层间的附着性不佳，因此在将图案化光阻层所构成的图案转移至铜层的蚀刻过程中，图案化光阻层容易自铜层的表面剥离，因而使得图案化光阻层所构成的图案无法完整、精准被转移至超薄铜层中，进而使得图案化后的铜层无法具有预期的导电线路图案，也无法达到预定的线宽/线间距尺寸。

因此，仍有必要提供一种附载体铜箔及铜箔基板，以解决先前技术中所存在的缺失。

【发明内容】

有鉴于此，本揭露提供有一种改良的附载体铜箔及铜箔基板，解决了现有技术中所存在的缺失。

根据本揭露的一实施例，提供一种附载体铜箔。附载体铜箔包括载体层以及设置于载体层上的超薄铜层，其中超薄铜层包括面向载体层的剥离面。当载体层被剥离于超薄铜层后，剥离面的实体体积(Vm)为0.09至0.27μm³/μm²，且剥离面的镍残留量不大于60μg/dm²。

任选地，所述超薄铜层进一步包括位于所述剥离面相反侧的压合面，其中，所述压合面的十点平均粗糙度(Rz)为0.7至1.9μm，且所述压合面的实体体积(Vm)和空隙体积(Vv)间的差值为0.01至0.14μm³/μm²。任选地，所述压合面的空隙体积(Vv)为0.28至0.47μm³/μm²。任选地，所述压合面的实体体积(Vm)为0.25至0.37μm³/μm²。

任选地，所述超薄铜层进一步包括依序设置的粗糙层、钝化层以及耦合层，其中所述耦合层的外侧即为所述压合面，且所述压合面的十点平均粗糙度(Rz)高于所述剥离面的十点平均粗糙度(Rz)。

任选地，所述的附载体铜箔进一步包括抗迁移层，所述抗迁移层设置于所述载体层和所述超薄铜层之间，其中所述抗迁移层和所述超薄铜层具有不同组成。可選擇地，所述抗迁移层含有镍。

任选地，当所述载体层被剥离于所述超薄铜层后，所述剥离面的镍残留量为25至54μm³/μm²。