[发明专利]离子产生装置

说明书

本发明提供一种离子产生装置，所述离子产生装置包括电弧室以及电子源装置。所述电子源装置包含阴极以及灯丝。所述灯丝设置在所述阴极。所述阴极具有主体及设置在所述主体上的盖。所述盖具有接收面及与接收面相对的发射面。所述发射面具有凸面朝向所述电弧室的所述接收区域，其中所述接收面的中心区域是平表面，并且中心区域被锥形侧壁包围。

技术领域

本公开总体上涉及一种阴极，并且更具体地涉及一种用于离子注入的阴极的结构。

背景技术

对于半导体制造，离子源是离子注入机的关键组件。离子注入机通常包括离子源，该离子源的阴极暴露于电弧室内的高腐蚀性等离子体。这种阴极通常在电弧室的腐蚀环境中退化。增强铁注入机的阴极构件的操作持续时间可以提高半导体制造的效率。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种用于离子注入的阴极的装置，以解决上述技术问题。

本发明提供一种离子产生装置，包括：电弧室具有接收区域，在运行过程中，所述电弧室内会产生包含化学离子的等离子体；以及电子源装置伸入所述电弧室的接收区域，所述电子源装置包含：阴极具有主体及设置在所述主体上的盖，所述盖具有接收面及与接收面相对的发射面，所述发射面具有凸面朝向所述电弧室的所述接收区域，其中所述接收面的中心区域是平表面，并且中心区域被锥形侧壁包围；以及灯丝设置在所述阴极的所述主体。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1示出了根据本公开的一些实施例的离子布植装置的区域横截面示意图；

图2示出了根据本公开的一些实施例的离子源装置示意图；

图3示出了根据本公开的一些实施例的阴极示意图；

图4示出了根据本公开的一些实施例的阴极示意图；

图5示出了根据本公开的一些实施例的使用仪器产生离子的方法的流程图。

然而，要注意的是，随附图式仅说明本案之示范性实施态样并因此不被视为限制本案的范围，因为本案可承认其他等效实施态样。

主要元件符号说明

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

以下描述将参考附图以更全面地描述本发明。附图中所示为本公开的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的示例性实施例。提供这些示例性实施例是为了使本公开透彻和完整，并且将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。类似的附图标记表示相同或类似的组件。

本文使用的术语仅用于描述特定示例性实施例的目的，而不意图限制本发明。如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”，“一个”和“该”旨在也包括复数形式。此外，当在本文中使用时，“包括”和/或“包含”或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“具有”，整数，步骤，操作，组件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征，区域，整数，步骤，操作，组件，组件和/或其群组。