[发明专利]一种NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构，其特征在于，包括N型轻掺杂半绝缘单晶硅衬底，所述N型轻掺杂半绝缘单晶硅衬底表面形成有埋氧层，所述埋氧层的表面从左至右形成有发射区、基区和集电区，所述发射区、基区和集电区三个区域的厚度相同而宽度不同，所述发射区和集电区区域里从下至上淀积有SiON氧化层和N型掺杂AlGaN层，所述基区区域里生长有P型重掺杂Si层，所述Si层从左至右包括掺杂浓度为N₁宽度为W₁的Si薄层1、掺杂浓度为N₂宽度为W₂的Si薄层2、……、掺杂浓度为N_n宽度为W_n的Si薄层n，每个薄层的宽度相等且满足N₁N₂...N_n，所述发射区、基区和集电区的表面淀积有隔离氧化层，所述隔离氧化层在下方发射区、基区和集电区对应处形成有发射区、基区和集电区电极窗口，每个电极窗口的宽度小于下方对应发射区、基区和集电区宽度，所述发射区、基区和集电区电极窗口内生长金属硅化物形成电极引出层。

2.根据权利要求1所述的NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构，其特征在于，所述埋氧层为200nm厚的SiO₂埋氧层。

3.根据权利要求1所述的NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构，其特征在于，所述发射区、基区和集电区的厚度为30～50nm，所述发射区和集电区的宽度为100～200nm，所述基区的宽度为20～30nm。

4.根据权利要求1所述的NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构，其特征在于，所述SiON氧化层的厚度为5nm。

5.根据权利要求1所述的NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构，其特征在于，所述Si层从左至右包括掺杂浓度N₁为1×10¹⁹cm^-3的Si薄层1、掺杂浓度N₂为1×10¹⁸cm^-3的Si薄层2、掺杂浓度N₃为1×10¹⁷cm^-3的Si薄层3、掺杂浓度N₄为1×10¹⁶cm^-3的Si薄层4和掺杂浓度N₅为1×10¹⁵cm^-3的Si薄层5，所述基区的宽度为25nm，每个薄层的宽度为5nm。

6.根据权利要求1所述的NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构，其特征在于，所述隔离氧化层为SiO₂氧化层。