[发明专利]内衬及半导体加工设备有效

专利信息
申请号: 202010042011.1 申请日: 2020-01-15
公开(公告)号: CN111243991B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 贺斌;郑友山 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;魏艳新
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 内衬 半导体 加工 设备
【说明书】:

发明提供一种内衬及半导体加工设备,其中,内衬包括筒本体、环体、多个栅格梁;栅格梁设置在筒本体的下端,并分别与筒本体和环体相连接;相邻栅格梁之间的间隙,形成为供气体通过的气流通道,内衬还包括多个第一旋转组件、多个第二旋转组件、多个连接件,以及至少一个调节组件;多个栅格梁中,至少部分栅格梁为可调节栅格梁;调节组件通过连接件以及第二旋转组件,与可调节栅格梁相连接,用于将可调节栅格梁与竖直方向的夹角调节至预设角度;可调节栅格梁是指分别与第一旋转组件、第二旋转组件、连接件相连接的栅格梁。本发明提供的内衬及半导体加工设备,能够提高工艺气体分布的均匀性,从而提高工艺均匀性,改善工艺结果。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域,具体地,涉及一种内衬及半 导体加工设备。

背景技术

反应腔室作为工艺反应的载体,是刻蚀机的关键组成部分。侧 下抽腔室结构作为一种常见的反应腔室结构,由于其硬件结构的不对 称性,导致抽气时大部分气体直接从卡盘表面靠近泵口的区域被抽 走,而到达卡盘表面远离泵口的区域的气流较少。这就导致流场、静 压场和密度场的不均匀,而流场、静压场和密度场的均匀性,又与工 艺均匀性有密切关系。

目前,通常在腔室中设置如图1所示的内衬11,该内衬11的底 部设置有多个栅格12,相邻的栅格12之间形成栅格孔,这对改善流 场均匀性起到了一定的作用。但是,由于靠近泵口处受到泵的抽力较 大,远离泵口处受到泵的抽力较小,通过流体仿真分析,发现如图2 和图3所示,在衬底(Wafer)的表面,仍会出现气流在靠近泵口的 区域的流场、静压场和密度场大于远离泵的区域的流场、静压场和密 度场的现象,这就会使得衬底的均匀性较差。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了 一种内衬及半导体加工设备,其能够提高工艺气体分布的均匀性,从 而提高工艺均匀性,改善工艺结果。

为实现本发明的目的而提供一种内衬,包括筒本体、环体、多 个栅格梁;所述栅格梁设置在所述筒本体的下端,并分别与所述筒本 体和所述环体相连接;相邻所述栅格梁之间的间隙,形成为供气体通

所述内衬还包括多个第一旋转组件、多个第二旋转组件、多个 连接件,以及至少一个调节组件;

所述多个栅格梁中,至少部分所述栅格梁为可调节栅格梁;

所述调节组件通过所述连接件以及所述第二旋转组件,与所述 可调节栅格梁相连接,用于将所述可调节栅格梁与竖直方向的夹角调 节至预设角度;

所述可调节栅格梁是指分别与所述第一旋转组件、所述第二旋 转组件、所述连接件相连接的栅格梁。

优选的,所述第一旋转组件设置在所述筒本体上,且与所述可 调节栅格梁的第一端部连接;

所述第二旋转组件通过所述连接件与所述环体相连接,且与所 述可调节栅格梁的第二端部连接。

优选的,所述连接件为螺旋状的管线;

所述连接件一端连接所述环体,另一端线绕在所述第二旋转组 件的外表面上。

优选的,所述连接件为压电体,与所述调节组件电连接;

所述压电体通过接收所述调节组件所施加的电压,产生形变, 以带动第二旋转组件转动,且带动所述可调节栅格梁转动。

优选的,所述栅格梁水平排布,所述可调节栅格梁与竖直方向 的夹角随着所述可调节栅格梁的转动发生线性变化。

优选的,所述栅格梁与所述筒本体的一横截面呈预设夹角的倾 斜排布,所述可调节栅格梁与竖直方向的夹角随着所述可调节栅格梁 的转动发生非线性变化。

优选的,所述预设角度的取值范围为0°-90°。

优选的,所述预设夹角的取值范围为10°-30°。

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