[发明专利]一种L形半导体热电臂结构及半导体制冷片有效

专利信息
申请号: 202010040008.6 申请日: 2020-01-15
公开(公告)号: CN111403588B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 申利梅;刘冠宇;黄荣森;唐佳新 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L35/28 分类号: H01L35/28;H01L35/32;H01L35/02
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 孔娜;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 热电 结构 制冷
【权利要求书】:

1.一种L形半导体热电臂结构,其特征在于:

所述热电臂结构呈L形,其包括冷端陶瓷基板(1)、冷端导电导热铜片(2)、P型热电臂(3)、热端导电导热铜块(4)、热端陶瓷基板(5)及N型热电臂(6),所述P型热电臂(3)、所述N型热电臂(6)及所述热端导电导热铜块(4)分别设置在所述热端陶瓷基板(5)朝向所述冷端陶瓷基板(1)的表面上;所述冷端导电导热铜片(2)设置在所述P型热电臂(3)及所述N型热电臂(6)上,所述冷端陶瓷基板(1)设置在所述冷端导电导热铜片(2)上;

其中,所述冷端导电导热铜片(2)、所述P型热电臂(3)、所述N型热电臂(6)及所述热端导电导热铜块(4)构成L形结构,所述热端导电导热铜块(4)放置于所述P型热电臂(3)、所述N型热电臂(6)的侧面,与之对应的所述P型热电臂(3)、所述N型热电臂(6)除与所述热端导电导热铜块(4)接触外,还与所述热端陶瓷基板(5)直接接触。

2.如权利要求1所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述热端导电导热铜块(4)的宽度WCu-热大于50微米。

3.如权利要求1所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述热端导电导热铜块(4)的高度HCu-热小于等于所述P型热电臂(3)的高度HTE

4.如权利要求3所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述P型热电臂(3)的高度与所述N型热电臂(6)的高度相等。

5.如权利要求1所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述P型热电臂(3)的形状及尺寸与所述N型热电臂(6)的形状及尺寸一致。

6.如权利要求5所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述冷端导电导热铜片(2)的截面宽度WCu-冷小于等于所述N型热电臂(6)的截面宽度WTE

7.如权利要求1-6任一项所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述P型热电臂(3)与所述N型热电臂(6)沿第一方向设置,所述热端导电导热铜块(4)沿平行于所述第一方向的第二方向设置,且所述P型热电臂(3)的侧面及所述N型热电臂(6)的侧面分别与所述热端导电导热铜块(4)的侧面相连。

8.如权利要求1-6任一项所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述冷端导电导热铜片(2)的宽度WCu-冷小于等于1.5毫米。

9.一种半导体制冷片,其特征在于:所述半导体制冷片包括权利要求1-8任一项所述的L形半导体热电臂结构。

10.如权利要求9所述的半导体制冷片,其特征在于:所述半导体制冷片还包括Π形结构热电臂,所述Π形结构热电臂与所述L形半导体热电臂结构相对设置。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010040008.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top