[发明专利]一种L形半导体热电臂结构及半导体制冷片有效
| 申请号: | 202010040008.6 | 申请日: | 2020-01-15 |
| 公开(公告)号: | CN111403588B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
| 发明(设计)人: | 申利梅;刘冠宇;黄荣森;唐佳新 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | H01L35/28 | 分类号: | H01L35/28;H01L35/32;H01L35/02 |
| 代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 孔娜;李智 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 热电 结构 制冷 | ||
1.一种L形半导体热电臂结构,其特征在于:
所述热电臂结构呈L形,其包括冷端陶瓷基板(1)、冷端导电导热铜片(2)、P型热电臂(3)、热端导电导热铜块(4)、热端陶瓷基板(5)及N型热电臂(6),所述P型热电臂(3)、所述N型热电臂(6)及所述热端导电导热铜块(4)分别设置在所述热端陶瓷基板(5)朝向所述冷端陶瓷基板(1)的表面上;所述冷端导电导热铜片(2)设置在所述P型热电臂(3)及所述N型热电臂(6)上,所述冷端陶瓷基板(1)设置在所述冷端导电导热铜片(2)上;
其中,所述冷端导电导热铜片(2)、所述P型热电臂(3)、所述N型热电臂(6)及所述热端导电导热铜块(4)构成L形结构,所述热端导电导热铜块(4)放置于所述P型热电臂(3)、所述N型热电臂(6)的侧面,与之对应的所述P型热电臂(3)、所述N型热电臂(6)除与所述热端导电导热铜块(4)接触外,还与所述热端陶瓷基板(5)直接接触。
2.如权利要求1所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述热端导电导热铜块(4)的宽度WCu-热大于50微米。
3.如权利要求1所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述热端导电导热铜块(4)的高度HCu-热小于等于所述P型热电臂(3)的高度HTE。
4.如权利要求3所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述P型热电臂(3)的高度与所述N型热电臂(6)的高度相等。
5.如权利要求1所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述P型热电臂(3)的形状及尺寸与所述N型热电臂(6)的形状及尺寸一致。
6.如权利要求5所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述冷端导电导热铜片(2)的截面宽度WCu-冷小于等于所述N型热电臂(6)的截面宽度WTE。
7.如权利要求1-6任一项所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述P型热电臂(3)与所述N型热电臂(6)沿第一方向设置,所述热端导电导热铜块(4)沿平行于所述第一方向的第二方向设置,且所述P型热电臂(3)的侧面及所述N型热电臂(6)的侧面分别与所述热端导电导热铜块(4)的侧面相连。
8.如权利要求1-6任一项所述的L形半导体热电臂结构,其特征在于:所述冷端导电导热铜片(2)的宽度WCu-冷小于等于1.5毫米。
9.一种半导体制冷片,其特征在于:所述半导体制冷片包括权利要求1-8任一项所述的L形半导体热电臂结构。
10.如权利要求9所述的半导体制冷片,其特征在于:所述半导体制冷片还包括Π形结构热电臂,所述Π形结构热电臂与所述L形半导体热电臂结构相对设置。
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